碳化硅(SiC)半导体已经存在数十年,最近才因汽车市场向电动化的迅速转型而需求激增。政府对气候变化的要求和消费者需求的指数级增长,使得汽车制造商计划在未来10至15年内将电池电动车型作为主销产品。
这一电动化转变决定了汽车功率半导体的整体市场需求。最初,汽车电源市场由硅IGBT和MOSFET主导,而SiC和GaN等宽禁带半导体只有特斯拉等少数早期采用者使用。
然而,随着汽车行业向电池电动汽车的持续转型以及车队电动化的推进,碳化硅半导体的需求正在迅速增长。据市场研究公司TechInsights的数据显示,到2030年,SiC在电动汽车生产中的市场收入预计将达到96亿美元,并且预测到2027年的复合年增长率将高达37%。然而,TechInsights汽车业务执行董事Asif Anwar指出:“我们认为其他电力电子半导体的需求并不会消失,硅基IGBT、MOSFET和二极管仍将占据整体市场需求的50%。”
到2030年,汽车电源市场(包括功率MOSFET、IGBT和SiC半导体)的收入预计将达到266亿美元,几乎是今年收入的两倍。未来五年,车用功率芯片市场预计将以16.0%的复合年增长率增长。
使用碳化硅半导体的程度将取决于制造的电动汽车类型。对于轻度混合动力车,该细分市场仍然依赖硅MOSFET技术;不过,如果GaN技术的价格能够降低以与当前的MOSFET相匹配,那么它可能也会被采用。TechInsights指出,在全混合动力车和插电式混合动力车中,由于硅IGBT和MOSFET技术在成本效益方面更具优势,SiC和GaN等宽禁带技术并不理想。
全电池电动车将成为SiC芯片在主逆变器中的主要应用领域,并且其在DC-DC转换器和车载充电器等电力电子系统中的应用也会增加。
编辑:黄飞
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