开关电源MOS管的工作损耗计算

耗计算式计算：

× RDS（on） × K ×

截止损耗计算：

× IDSS ×（ 1-Don ）

会依 VDS（off） 变化而变化，如计算得到的漏源电压 VDS（off） 很大以至接近 V（BR）DSS 则可直接引用此值。

开启过程损耗计算：

开启过程 VDS（off_on）（t） 与 IDS（off_on）（t） 交叉波形如上图所示。首先须计算或预计得到开启时刻前之 VDS（off_end） 、开启完成后的 IDS（on_beginning） 即图示之 Ip1 ，以及 VDS（off_on）（t） 与 IDS（off_on）（t） 重叠时间 Tx 。然后再通过如下公式计算：

×∫ Tx VDS（off_on）（t） × ID（off_on）（t） ×

关断过程损耗

首先须计算或预计得到关断完成后之漏源电压 VDS（off_beginning） 、关断时刻前的负载电流 IDS（on_end） 即图示之 Ip2 以及 VDS（on_off） （t） 与 IDS（on_off）（t） 重叠时间 Tx 。

然后再通过 如下公式计算：

×∫ Tx VDS（on_off） （t） × IDS（on_off）（t） ×

驱动损耗的计算：

× Qg ×

电容的泄放损耗计算：

首先须计算或预计得到开启时刻前之 VDS ，再通过如下公式进行计算：

× VDS（off_end）2 × Coss ×

体内寄生二极管正向导通损耗计算：

利用体内寄生二极管进行载流的应用中（例如同步整流），需要对此部分之损耗进行计算。公式如下：

× VDF × tx ×

体内寄生二极管反向恢复损耗计算：

公式如下：

Pd_recover=VDR × Qrr × fs