半导体发光设备包括半导体发光二极管(LED)、数字管、符号管、米管和点阵显示屏(矩阵管)。事实上,数字管、符号管、米管和矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。
发光二极管是由Gaas(砷化镓)、Gap(磷化镓)、Gaasp(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此,它具有一般P-N结的-N特性,即反向直线、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正电压下,电子从N区注入P区,空穴从P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)与多数载流子(多子)复合发光。
假设发光发生在P区,那么注入的电子和价带孔径直接复合发光,或者先被发光中心捕获,再与孔径复合发光。除了这种发光复合材料外,还有一些电子被非发光中心(靠近导带和介带中间)捕获,然后与孔径复合。每次释放的能量不大,无法形成可见光。与非发光复合相比,发光复合的比例越大,光量子效率越高。由于复合物在少子扩散区发光,光只在PN结面附近的μm内产生。理论和实践证明,光的峰值波长与发光区半导体材料的禁带宽度Eg有关,即1240/Eg(mm)Eg为电子伏特(ev)。半导体材料的Eg应在3.26~1.63ev之间,如果能产生可见光(波长为380nm紫光~780nm红光)。红外光比红光波长。现在有红外、红、黄、绿、蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本高,使用不广泛。
LED的基本工作条件是由电流驱动的低压单向导电装置,必须满足以下基本要求,以保证LED的正常运行。
(1)输入直流电压不得低于LED的正电压降,否则LED不会导通并发光。
(2)由直流电流或单向脉冲电流驱动,当驱动并联LED或LED串时,需要恒流而不是恒压供电。
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发光二极管
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