台积电开始试产2纳米产品

据外媒报道，台积电作为全球晶圆代工领军企业，已经开始开发2纳米制程，拉大了与竞争对手的差距。最近，台积电还准备为苹果和英伟达试产2纳米产品，并计划派遣约1000名研发人员前往其正在建设中的Fab 20晶圆厂工作。与此同时，三星电子在2022年6月率先采用GAA技术开始量产3纳米制程芯片，比台积电提前6个月，成为全球首家量产该制程技术的企业。受到三星的冲击，台积电高层多次公开表态加速2纳米制程技术的发展，并形成了先进制程的竞赛态势。

除了台积电，曾宣布重新进入晶圆代工业务的处理器巨头英特尔也加入了先进制程的研发竞赛。英特尔在6月1日的线上活动中公布了其芯片背面电源解决方案PowerVia的技术发展、测试数据和路线图，扩大了其在晶圆代工产业的影响力。据报道，目前台积电也在开发芯片背面供电技术，并计划在2026年实现商业应用。

此外，英特尔设定了一个目标，即在2024年下半年将其代工技术推进到1.8纳米的节点，并与ARM建立合作伙伴关系，以实现1.8纳米制程技术的量产。然而，市场人士对于英特尔未来的挑战有一些不确定性，即使按照路线图取得成功，达到收支平衡仍然是一个巨大的挑战。整体而言，全球芯片代工行业正迎来先进制程的竞争和发展。

报道还说明了台积电另一竞争对手三星的情况，就是三星DS部门总裁Kyung Kye-hyun于5月初的一次演讲中表示，三星计划超越台积电，目标就是从比台积电更早使用GAA技术的2纳米制程开始。

事实上，台积电除了先进制程之外，也透过先进封装技术来维持技术的领先。不久前，台积电就宣布先进封测六厂启用正式启用，成为台积电首家达成前后端制程 3DFabric 整合一体化自动化先进封测厂和测试服务工厂。同时，也为TSMC-SoIC（系统整合芯片）制程技术的量产做准备。先进封测六厂的启用，将使台积电对SoIC、InFO、CoWoS、先进测试等各项TSMC 3DFabric先进封装与硅堆叠技术，拥有更完整及灵活的产能规划之外，也带来更高的生产良率与效能协同效应。

台积电营运/先进封装技术暨服务、品质暨可靠性副总经理何军表示，微晶片堆栈是提升芯片效能与成本效益的关键技术，因应强劲的三度集成电路市场需求，台积电已完成先进封装及矽堆叠技术产能的提前部署，透过3DFabric平台提供技术领先与满足客户需求产能，共同实现跨时代科技创新，成为客户长期信赖的重要伙伴。

据报道，三星也在迎头赶上台积电，计划从2纳米制程开始超越对手。台积电除了在先进制程方面保持领先地位外，还通过先进封装技术来增强竞争力。最近，台积电启用了先进封测六厂，实现了前后端制程的整合，为TSMC-SoIC制程技术的量产做好准备。这将使得台积电在SoIC、InFO、CoWoS以及先进测试等方面具备更完整和灵活的产能规划，并提高生产良率和效能。

台积电的营运/先进封装技术副总经理何军表示，微晶片堆栈是提升芯片性能和成本效益的关键技术。为满足市场需求，台积电提前部署了先进封装和硅堆叠技术产能，并通过3DFabric平台提供技术领先和满足客户需求的产能，成为客户长期信赖的重要合作伙伴。全球芯片代工行业正在竞争和发展先进制程和封装技术。

编辑：黄飞