有图晶圆关键尺寸及套刻量测系统可对Wafer的关键尺寸进行检测,对套刻偏移量的测量,以及Wafer表面3D形貌、粗糙度的测量,包括镭射切割的槽宽、槽深等自动测量。300*300mm真空吸附平台,最大可支持12寸Wafer的自动测量,配置扫描枪,可实现产线的全自动化生产需求。
一.系统的布局结构1. 上料/下料区:Robot自动抓取Wafer至寻边器平台;2. 定位区:寻边器对Wafer自动轮廓识别,旋转校正到设定姿态;3. 测量区:自动测量平台,包含2D和3D测量模组,内部有温湿度监控及除静电装置。 1.上下料区:Robot自动上下料
Robot自动上下料
2.定位区:寻边器自动识别出wafer轮廓,旋转校正到设定姿态
Robot将Wafer放在寻边器上
自动识别出wafer轮廓
3. 测量区:自动测量平台
自动测量平台
二.应用案例
1.Wafer关键尺寸、套刻偏移量测量
2.镭射切割槽测量
3.表面粗糙度测量
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