LPDDR5 UFS3.1 系列内存
KLUDG4UHDB-B2D1 /K3UH5H50AM-AGCL
KLUEG8UHDB-C2D1 /K3UH5H50AM-JGCL
KLUFG8RHDA-B2D1 /K3QF3F30BM-QGCF
KLUGGARHDA-B0D1/K3UH6H60AM-NGCJ
KLUGGAR1FA-B2C1 /K3UH6H60MM-AGCJ
KLUFG8R1EM-B0C1 /K3UH7H70AM-JGCJ
KLUEGAJ1ZD-B0CQ /K3UH7H70MM-NGCJ
KLUEGAJ1ZD-B0CP /K3UH7H70AM-NGCJ
KLUEG8U1FB-B0C1 /K3UH7H70AM-JGCR
KLUEG8U1EA-B0C1 /K3UHAHA0AM-AGCL
KLUDG8J1ZD-B0CQ /KLUDG4UHDC-B0E1
KLUDG8J1ZD-B0CP /KLUDG4U1FB-B0C1
KLUDG4U1EA-B0C1/KLUCG4J1ZD-B0CQ
KLUCG4J1ZD-B0CP /KLUCG4J1ED-B0C1
KLUCG2K1EA-B0C1/KLUBG4G1ZF-B0CQ /H9HKNNNFBMAVAR-NEH
KLUBG4G1ZF-B0CP/HN8T05BZGKX015N /HN8T15BZGKX016N
K3LK6K60BM-BGCP KLUFG8RHDB-B0E1 KLUFG8RHDA-B2D1
H58GU6MK6HX042 K4B1G1646I-BCNB
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
内存
+关注
关注
8文章
2981浏览量
73824 -
UFS
+关注
关注
6文章
103浏览量
23883
发布评论请先 登录
相关推荐
三星量产最薄LPDDR5X内存，技术再突破
三星电子今日正式宣告，其业界领先的超薄LPDDR5X内存封装技术已进入量产阶段，再次引领内存技术潮流。此次推出的LPDDR5X内存封装，以惊
Introspect DDR5/LPDDR5总线协议分析仪
ATE，它降低了成本，增强了DDR5系统的互操作性。
DDR5/LPDDR5发射机测试,LPDDR5/LPDDR5X Protocol An
发表于 08-06 12:03
新品迅为RK3588-LPDDR5核心板_LPDDR4x与LPDDR5的区别
架构与通信方式：LPDDR4x 采用了16n的通信方式(n为数据位宽)，而 LPDDR5 则引入了 32n的通信方式，可以提供更高的带宽和性能。
频率和时序：LPDDR5 相对于 LPDDR
发表于 07-17 10:13
三星LPDDR5X DRAM内存创10.7Gbps速率新高
值得注意的是，此前市场上其他品牌的LPDDR5X DRAM内存最高速度仅为9.6Gbps。三星表示，新款10.7Gbps LPDDR5X内存采用12纳米级制程工艺，相较前代产品性能提升
美光LPDDR5X与UFS 4.0赋能三星Galaxy S24系列，AI体验再升级
美光科技近日宣布，其低功耗LPDDR5X内存和UFS 4.0移动闪存存储技术已成功应用于三星Galaxy S24系列部分设备中，为全球手机用户带来了前所未有的人工智能体验。
ufs3.1和ufs4.0有什么区别？ufs4.0和ufs3.1实际使用区别
ufs3.1和ufs4.0有什么区别？ufs4.0和ufs3.1实际使用区别 UFS是一种高速、节能、可靠的非易失性存储器，旨在提供更快的
lpddr5时序比ddr5慢多少
LPDDR5和DDR5是两种不同类型的内存，它们在时序和性能方面有一些差异。尽管它们都是最新一代的内存标准，但它们面向不同的应用场景，并且在设计上有一些不同。 首先，让我们来了解一下
LPDDR5X来袭！准备迎接内存速度大爆炸！
如今，智能、互联和带宽密集型应用依赖于超快、低延迟的内存访问，以实现我们日常生活所依赖的一系列功能。那么，什么样的技术能够满足这些要求？答案就是LPDDR5X SDRAM JEDEC标准，它是
重大突破！首款国产LPDDR5存储芯片来了，容量、速率均提升50%
据长鑫存储官网，11月28日，长鑫存储正式推出LPDDR5系列产品，包括12Gb的LPDDR5颗粒，POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB
首款国产LPDDR5存储芯片来了！已在小米、传音等品牌机型上完成验证
LPDDR5芯片是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。与上一代LPDDR4X相比，长鑫存储LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%，分别达到12Gb和6400Mbps，同时功耗降低30%。
中国长鑫存儲自主研发 LPDDR5 完成
长鑫存儲最近在其官网上宣布，已研发出中国首款 LPDDR5 DRAM记忆体芯片，并即将推出包括12GB LPDDR5、POP封装的12GB LPDDR5及DSC封装的6GB LPDDR5
长鑫存储LPDDR5正式进军移动终端市场
资料显示，LPDDR是低功耗的DRAM存储器，由DDR内存演化而来。LPDDR的架构和接口针对低功耗应用进行了专门优化，提供更窄的通道宽度、尺寸更小、工作电压更低和支持多种低功耗运行状态。
发表于 12-01 10:44
•428次阅读
长鑫存储首款国产LPDDR5，推动产业跨入LPDDR5领域
相比上一代LPDDR4，长鑫的LPDDR5单颗芯片容量和速率都提升了50%，达到12Gb和6400Mbps，并且功耗降低了30%。从产品应用和市场角度来看，LPDDR5芯片能够为移动电子设备带来更快的速度和更低的功耗。
长鑫存储推出自主研发的LPDDR5 DRAM存储芯片
长鑫12GB LPDDR5芯片由8个12Gb颗粒封装，这是长鑫存储首款采用层叠封装（Package on Package）的芯片产品。
发表于 11-29 11:11
•908次阅读
国内首家，长鑫存储推出多款 LPDDR5产品
长鑫存储12gb lpddr5芯片目前已经在韩国主流手机制造商小米、传音等品牌机型上完成了验证。lpddr5是长鑫存储针对中高端移动机器市场推出的产品，市场化将进一步完善长鑫存储的dram半导体产品配置。
工商网监
评论