6.3.5.1 界面态分布∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.5.1 界面态分布
6.3.5 氧化硅/SiC 界面特性及其改进方法
6.3 氧化及氧化硅/SiC 界面特性
第６章碳化硅器件工艺
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
SiC
+关注
关注
29文章
2804浏览量
62607
发布评论请先 登录
相关推荐
碳化硅功率器件在能源转换中的应用
碳化硅（SiC）功率器件作为一种新兴的能源转换技术，因其优异的性能在能源领域受到了广泛的关注。本文将介绍碳化硅功率器件的
碳化硅功率器件的工作原理和应用
碳化硅（SiC）功率器件近年来在电力电子领域取得了显著的关注和发展。相比传统的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有许多独特的优点，使其在高效能、高频率和高温环境下的应用中具有明显的优势。本
碳化硅功率器件的优势和应用领域
在电力电子领域，碳化硅（SiC）功率器件正以其独特的性能和优势，逐步成为行业的新宠。碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，使得碳化硅功率
碳化硅功率器件的优点和应用
碳化硅（SiliconCarbide，简称SiC）功率器件是近年来电力电子领域的一项革命性技术。与传统的硅基功率器件相比，碳化硅功率
碳化硅功率器件有哪些优势
碳化硅（SiC）功率器件是一种基于碳化硅半导体材料的电力电子器件，近年来在功率电子领域迅速崭露头角。与传统的硅（Si）功率器件相比，
碳化硅功率器件的优势和分类
碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半导体器件，主要用于高频、高温、高压和高功率的电子应用。相比传统的硅（Si）基功率器件，
碳化硅器件的类型及应用
碳化硅是一种广泛用于制造半导体器件的材料，具有比传统硅更高的电子漂移率和热导率。这意味着碳化硅器件能够在更高的温度和电压下工作，同时保持稳定性和效率。
发表于 04-16 11:54
•725次阅读
碳化硅功率器件特性及基本原理
碳化硅是一种宽带隙(Wide Bandgap,WBG)半导体材料，与传统的硅(Si)材料相比，具有更宽的能隙、更高的击穿电场强度和热导率。
发表于 03-19 11:12
•602次阅读
碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 （ZnO） 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏
发表于 03-08 08:37
碳化硅功率器件的基本原理、性能优势、应用领域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二极管（SiC Diode）、碳化硅晶体管（SiC Transistor）等。这些器件通过利用
发表于 02-29 14:23
•1636次阅读
简单认识碳化硅功率器件
随着能源危机和环境污染日益加剧，电力电子技术在能源转换、电机驱动、智能电网等领域的应用日益广泛。碳化硅（SiC）功率器件作为第三代半导体材料的代表，具有高温、高速、高效、高可靠性等优点，被誉为“未来电力电子的新星”。本文将详细介
碳化硅产业链图谱
共读好书 碳化硅产业链主要由衬底、外延、器件、应用等环节组成。碳化硅晶片作为半导体衬底材料，根据电阻率不同可分为导电型、半绝缘型。导电型衬底可用于生长
碳化硅特色工艺模块简介
材料的生长和加工难度较大，其特色工艺模块的研究和应用成为了当前碳化硅产业发展的关键。 碳化硅特色工艺模块主要包括以下几个方面： 注入掺杂 在碳化硅中，碳硅键能较高，杂质原子难以在其中扩
碳化硅功率器件简介、优势和应用
碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子
碳化硅器件领域，中外的现况如何？
导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制成，品种包括SBD（肖特基二极管）、MOSFET
发表于 12-27 10:08
•441次阅读
工商网监
评论