6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性
6.3 氧化及氧化硅/SiC 界面特性
第6章碳化硅器件工艺
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
SiC
+关注
关注
29文章
2881浏览量
62890
发布评论请先 登录
相关推荐
什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?
随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件
发表于 01-04 12:37
碳化硅SiC在光电器件中的使用
碳化硅的基本特性 碳化硅是一种由碳和硅组成的化合物半导体,具有以下特性: 宽带隙 :SiC的带隙宽度约为3.26eV,远大于硅(Si)的1.
碳化硅SiC在电子器件中的应用
和热学性能,成为了许多高性能电子器件的首选材料。 碳化硅的基本特性 碳化硅是一种由碳和硅原子组成的化合物半导体材料,具有以下特性: 宽带隙
SIC 碳化硅认识
好,硬度大(莫氏硬度为9.5级,仅次于世界上最硬的金刚石(10级))、导热性能优良、高温抗氧化能力强等。由于天然含量甚少,碳化硅主要多为人造。 第三代半导体指的是SiC、GaN、ZnO、金刚石(C)、AlN等具有宽禁带(Eg>2
碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 (ZnO) 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK
发表于 03-08 08:37
简单认识碳化硅功率器件
随着能源危机和环境污染日益加剧,电力电子技术在能源转换、电机驱动、智能电网等领域的应用日益广泛。碳化硅(SiC)功率器件作为第三代半导体材料的代表,具有高温、高速、高效、高可靠性等优点
评论