概述
之前我们介绍了基于思睿达主推CR5149TJ的18W电源适配器解决方案。在本文,我们将介绍基于思睿达主推的CR5159TN+CR85V25RS_27W电源适配器方案。
01
样机介绍
该测试报告是基于一个能适用于宽输入电压范围,输出功率27W方案,输出9V3A 的工程样机,控制IC采用了思睿达主推的CR5159TN和CR85V25RS。

CR5159TN
CR5159TN是一款采用内置高压功率MOSFET的高集成度、低待机功耗CCM+PFM混合电流模式PWM控制开关。CR5159TN轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR5159TN提供了完整的保护功能,如OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR5159TN提供DIP-8L的封装。CR5159TN 芯片特性:● CR5159TN是采用内置650V 高压功率MOSFET,反激式PWM 功率开关;●较低的启动电流 (大约3μA)●满足六级能效标准● 内置软启动,减小MOSFET 的应力;● 内置同步斜坡补偿电路,消除次谐波振荡;● 65kHz 开关频率,具有频率抖动功能,使其具有良好的EMI 特性;●轻载降低工作频率● 全电压输入范围,待机功耗:< 75mW;● 具有“软启动、OCP、SCP、OTP、OVP 自动恢复等保护功能;● 电路结构简单、较少的外围元器件,适用于小功率AC/DC 电源适配器、充电器;● CR5159TN还提供VDD电压从8.5V至36.5V更宽的工作范围。●内置前沿消隐电路●逐周期过流保护典型应用


CR85V25RS芯片特性:
● 支持CCM&QR&DCM 工作模式;● 内置85V 功率MOS 管;● 可自供电,支持正端/负端应用;● 精确的外围电路;● VCC欠压保护;● 最大支持150kHz 工作频率。该样机大小73.8mm×36.8mm,AC264V输入待机功耗<75mW,平均效率>87.3%,能够满足“能源之星V2.0 VI级能效”与欧洲COCT2标准;具有“OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO ”等多种保护功能;软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR5159TN还提供VDD电压从8.5V至36.5V更宽的工作范围。样机的变压器,采用了EE22加宽磁芯(PC95材质),变压器绕制工艺部分,请见后文详细说明。02
样机特性
以下表格为工程样机的主要特性,具体测试方法在第4章节中有详细说明。2.1、输入特性:

2.3、整机参数:




03
样机结构信息
本小节展示了工程样机的电路、版图结构,变压器结构及工艺。3.1、电路原理图及PCB 版图:(1)原理图:






04
性能测评
样机性能主要是针对工程样机的输入部分、输出部分、各种保护以及一些时序进行了测试,以下详解了测试方法及结果。从测试结果来看,以下各项测试均合格,能够满足大部分客户的要求。4.1、输入特性:本样机经过在不同的输入电压(从90VAC 到264VAC)和不同负载条件(空载和满载)下测试,得到待机功耗、效率及平均效率。表1 、无负载待机功耗






















05
其它重要波形测试:
DRAIN(绿)端、CS(蓝色)端波形图:





06
温度测试
测试条件:40℃环境下满载测试。
07
EMI 评估测试
7.1、测试条件:输入:230VAC50Hz;输出:9V3A;负载类型:电阻,限值标准参考:EN55013、EN55022B





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