士兰微mos管产品主要包括低高压、超结mos管,实现了沟槽栅低压 MOS,沟槽屏蔽栅 SGT- MOS,超级结 MOS 和 IGBT 等多个产品的量产,广泛应用于家电、工业、LED照明、汽车、消费类电子、影音设备等,缺货涨价潮助力国产替代加速,士兰微不断推进产品开发和升级,不仅在产能端实现了扩增,而且产品结构也在从低阶产品向更高价值量产品升级,实现进口替代。
高压超结MOSFET系列:骊微电子代理销售的主要是有SVS7N65DD2、SVS7N65FD2、SVS7N65FJD2、SVSP7N65DD2、SVSP7N65FJDD2、SVS11N60FJD2、SVS11N65DD2、SVS11N65FD2、SVS11N65FJD2、SVS11N65FJHD2、SVSP11N65DD2、SVSP11N65FJDD2、SVSP11N65FJHD2、SVS14N60FJD2、SVS14N65FD2、SVS14N65FJD2、SVS14N65TD2、SVSP14N65FJDD2、SVSP14N65FJHE2、SVS20N60FJD2、SVSP20N60TD2、SVSP20N60FJDD2等。
超级结MOS其技术路线是深沟槽外延,深沟槽外延工艺生产的超结 MOS 的开关速度快,适合于对效率要求高的场合,服务器电源、白色家电、汽车 OBC、充电桩等通信、服务器电源领域。
LVMOS产品系列:骊微电子销售的主要包括耐压40V-200V,额定电流17A-162A,在6寸FAB实现量产,主要型号有:SVG030R7NL5、SVG031R1NL5、SVG031R7NL5、SVG032R4NL3、SVG032R4NL5、SVG033R6NL3、SVG036R0NL2、SVG041R2NL5、SVG041R2NAL5、SVG041R7NL5、SVG042R1NL5、SVG042R5NL5、SVG069R5ND、SVGP069R5NSA、SVG076R5ND、SVG076R5NKL、SVG076R5NS、SVG076R5NT、SVG083R4NS、SVG083R4NT、SVG083R6NL5、SVG086R0ND、SVG086R0NL5、SVG086R0NS、SVG086R0NT、SVG094R1NS、SVG094R1NT、SVG095R0NS、SVG095R0NT、SVG095R5NT、SVG096R5NKL、SVG096R5NS、SVG096R5NT、SVG103R0NP7、SVG103R0NS、SVG103R0NS6、SVG103R0NT、SVG104R0NS、SVG104R0NT、SVGP104R1NL5、SVG104R5NF、SVG104R5NS、SVG104R5NT、SVGP104R5NAT、SVGP104R5NS、SVGP104R5NT、SVGP104R5NP7、SVG105R0NL5、SVG105R4NS、SVG105R4NT、SVG105R5NT、SVGP107R0NL5、SVG108R5NAD、SVG108R5NAMJ、SVG108R5NAMQ、SVG108R5NAT、SVGP157R2NS、SVGP157R5NT、SVGP15140NL5A等。
屏蔽栅功率 MOSFET 是一种新的沟槽 MOSFET 工艺,它可以做到减小导通阻抗 Rds(on),却不影响栅极电荷Qg,屏蔽栅功率 MOSFET 能够减小中压MOSFET中导通阻抗的关键分量——与漏源 击穿电压(BVdss)有关的外延阷抗(epiresistance),特别适用于大于 100V 的应用领域,如电子雾化器、 充电桩、电动工具、智能机器人、无人机、移动电源、数码类锂电池保护板、多口 USB 充电器、电动车控制、 逆变器、适配器、手机快充、PC 电源、TV 电源板、UPS 电源等。
士兰微MOSFET产品主要为超结 MOSFET和高密度沟槽栅 MOSFET这两种,也有一些屏蔽栅SGT MOSFET,工艺技术平台方面,目前已稳定运行有5、6、8 英寸芯片生产线,12英寸芯片生产线已经建设完成,并开始量产,骊微电子携手士兰微数载,是士兰微代理商,代理销售士兰微系列产品,更多相关产品手册及替代选型等,请咨询骊微电子。>>
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