8.2.11 氧化层可靠性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
SiC
+关注
关注
30文章
2984浏览量
63425
发布评论请先 登录
相关推荐
为什么碳化硅Cascode JFET 可以轻松实现硅到碳化硅的过渡？
电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其优异的性能与
发表于 03-12 11:31
•94次阅读
碳化硅的缺陷分析与解决方案
碳化硅作为一种新型半导体材料，因其高热导率、高电子饱和速度和高击穿电场等特性，被广泛应用于高温、高压和高频电子器件中。然而，碳化硅材料中的缺陷，如微管、位错、堆垛层错等，会严重影响
什么是MOSFET栅极氧化层？如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性？
氧化层？如何测试碳化硅MOSFET的栅氧可靠性？”让我们一起跟随基本半导体市场部总监魏炜老师的讲解，揭开这一技术领域的神秘面纱。
发表于 01-04 12:37
8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构
随着碳化硅（SiC）材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用，高质量、大面积的SiC外延生长技术变得尤为重要。8英寸SiC晶圆作为当前及未来一段时间内的主流尺寸，其外延生长
沟槽结构碳化硅的外延填充方法
器件的稳定性和可靠性。
二、外延填充方法
1. 实验准备
在进行外延填充之前，首先需要通过实验确定外延生长和刻蚀的工艺参数。这通常包括使用与待填充的碳化硅正式片具有
碳化硅MOSFET栅极氧化层缺陷的检测技术
在高效电能转换应用领域具有不可替代的优势，正逐渐成为功率半导体领域的主流选择。碳化硅器件的技术挑战尽管SiC器件性能优越，但其单晶和外延材料价格较高，工艺不成熟，
碳化硅功率器件在能源转换中的应用
碳化硅（SiC）功率器件作为一种新兴的能源转换技术，因其优异的性能在能源领域受到了广泛的关注。本文将介绍碳化硅功率器件的
碳化硅功率器件的工作原理和应用
碳化硅（SiC）功率器件近年来在电力电子领域取得了显著的关注和发展。相比传统的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有许多独特的优点，使其在高效能、高频率和高温环境下的应用中具有明显的优势。本
碳化硅功率器件的技术优势
随着电力电子技术的飞速发展，传统的硅基功率器件因其物理特性的限制，已经逐渐难以满足日益增长的高性能、高效率、高可靠性的应用需求。在这一背景下，碳化硅（SiC）功率
碳化硅(SiC)功率器件的开关性能比较
(JFET)以及现在的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。碳化硅功率器件在这些碳化硅功率器件的开关性能中，制造商通常需要在栅极驱动
碳化硅器件的类型及应用
碳化硅是一种广泛用于制造半导体器件的材料，具有比传统硅更高的电子漂移率和热导率。这意味着碳化硅器件能够在更高的温度和电压下工作，同时保持稳定性和效率。
发表于 04-16 11:54
•875次阅读
碳化硅功率器件特性及基本原理
碳化硅是一种宽带隙(Wide Bandgap,WBG)半导体材料，与传统的硅(Si)材料相比，具有更宽的能隙、更高的击穿电场强度和热导率。
发表于 03-19 11:12
•787次阅读
工商网监
评论