10.1.3 碰撞电离MOS器件∈《集成电路产业全书》
Impact Ionization MOS
撰稿人：清华大学 许军 梁仁荣
https://www.tsinghua.edu.cn
审稿人：北京大学 张兴 蔡一茂
https://www.pku.edu.cn
10.1 非传统新结构器件
第10章 集成电路基础研究与前沿技术发展
《集成电路产业全书》下册
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