９.１.７ 集电区的大电流效应：二次击穿和基区扩散效应∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和
９.１.７集电区的大电流效应：二次击穿和基区扩散效应
９.１双极结型晶体管（BJT）
第９章双极型功率开关器件
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
代理产品线：
1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明
2、国产MCUPtPSTMcu、GDMcu，引脚亦可转换位置灵活重新定义
3、国产FPGA：原位替换XILINX/赛灵思：SPARTAN6系列4、国科微GK7202V300 PtP Hi3518EV300 Hi3518ERNCV300 低功耗IPC5、国科微GK7205V200 PtP Hi3516EV200 Hi3516ERNCV200 4M@18fps
6、GK7205V300 PINtoPIN Hi3516EV300 Hi3516ERBCV300 高清视频编码
7、GK7605V100 PINtoPIN Hi3516DV200 Hi3516DRBCV200 HD IP摄像机IC
9、中国芯.HX2401C 2.4G PA芯片 直接PINtoPIN替换XX2401
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