９.３.３ 开通过程∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
９.３.３开通过程
９.３晶闸管
第９章双极型功率开关器件
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
代理产品线：
1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明
2、国产MCUPtPSTMcu、GDMcu，引脚亦可转换位置灵活重新定义
3、国产FPGA：原位替换XILINX/赛灵思：SPARTAN6系列4、国科微GK7202V300 PtP Hi3518EV300 Hi3518ERNCV300 低功耗IPC5、国科微GK7205V200 PtP Hi3516EV200 Hi3516ERNCV200 4M@18fps
6、GK7205V300 PINtoPIN Hi3516EV300 Hi3516ERBCV300 高清视频编码
7、GK7605V100 PINtoPIN Hi3516DV200 Hi3516DRBCV200 HD IP摄像机IC
9、中国芯.HX2401C 2.4G PA芯片 直接PINtoPIN替换XX2401
10、MCU.十速科技.32位∈4位、8位、8051单片机
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
碳化硅
+关注
关注
25文章
2691浏览量
48869
发布评论请先 登录
相关推荐
碳化硅功率器件在能源转换中的应用
碳化硅（SiC）功率器件作为一种新兴的能源转换技术，因其优异的性能在能源领域受到了广泛的关注。本文将介绍碳化硅功率器件的
碳化硅功率器件的工作原理和应用
碳化硅（SiC）功率器件近年来在电力电子领域取得了显著的关注和发展。相比传统的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有许多独特的优点，使其在高效能、高频率和高温环境下的应用中具有明显的优势。本
碳化硅功率器件的优点和应用
碳化硅（SiliconCarbide，简称SiC）功率器件是近年来电力电子领域的一项革命性技术。与传统的硅基功率器件相比，碳化硅功率
碳化硅器件的类型及应用
碳化硅是一种广泛用于制造半导体器件的材料，具有比传统硅更高的电子漂移率和热导率。这意味着碳化硅器件能够在更高的温度和电压下工作，同时保持稳定性和效率。
发表于 04-16 11:54
•697次阅读
碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 （ZnO） 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏
发表于 03-08 08:37
碳化硅功率器件的基本原理、性能优势、应用领域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二极管（SiC Diode）、碳化硅晶体管（SiC Transistor）等。这些器件
发表于 02-29 14:23
•1574次阅读
简单认识碳化硅功率器件
随着能源危机和环境污染日益加剧，电力电子技术在能源转换、电机驱动、智能电网等领域的应用日益广泛。碳化硅（SiC）功率器件作为第三代半导体材料的代表，具有高温、高速、高效、高可靠性等优点，被誉为“未来电力电子的新星”。本文将详细介
碳化硅产业链图谱
共读好书 碳化硅产业链主要由衬底、外延、器件、应用等环节组成。碳化硅晶片作为半导体衬底材料，根据电阻率不同可分为导电型、半绝缘型。导电型衬底可用于生长
碳化硅特色工艺模块简介
材料的生长和加工难度较大，其特色工艺模块的研究和应用成为了当前碳化硅产业发展的关键。 碳化硅特色工艺模块主要包括以下几个方面： 注入掺杂 在碳化硅中，碳硅键能较高，杂质原子难以在其中扩
碳化硅功率器件简介、优势和应用
碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子
碳化硅功率器件的基本原理、应用领域及发展前景
随着电力电子技术的不断发展，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新型的半导体材料，逐渐在电力电子领域崭露头角。与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率
碳化硅功率器件的原理和应用
随着科技的快速发展，碳化硅（SiC）功率器件作为一种先进的电力电子设备，已经广泛应用于能源转换、电机控制、电网保护等多个领域。本文将详细介绍碳化硅功率器件的原理、应用、
三种碳化硅外延生长炉的差异
碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆，这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现，高质量的
工商网监
评论