0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

6.1.4 半绝缘区域的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

深圳市致知行科技有限公司 2022-01-06 09:23 次阅读

6.1.4 半绝缘区域的离子注入

6.1 离子注入

第6章碳化硅器件工艺

《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

60b4c094-69b6-11ec-8d32-dac502259ad0.png

612834fc-69b6-11ec-8d32-dac502259ad0.png

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    25

    文章

    2673

    浏览量

    48747
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    碳化硅功率器件在能源转换中的应用

    碳化硅(SiC)功率器件作为一种新兴的能源转换技术,因其优异的性能在能源领域受到了广泛的关注。本文将介绍碳化硅功率器件
    的头像 发表于 10-30 15:04 73次阅读

    碳化硅功率器件的优点和应用

    碳化硅(SiliconCarbide,简称SiC)功率器件是近年来电力电子领域的一项革命性技术。与传统的硅基功率器件相比,碳化硅功率
    的头像 发表于 09-11 10:44 333次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的优点和应用

    SiC与GaN 功率器件中的离子注入技术挑战

    碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体预计将在电力电子器件中发挥越来越重要的作用。与传统硅(Si)设备相比,它们具有更高的效率、功率密度和开关频率等主要优势。离子注入是在硅
    的头像 发表于 04-29 11:49 955次阅读
    SiC与GaN 功率<b class='flag-5'>器件</b>中的<b class='flag-5'>离子注入</b><b class='flag-5'>技术</b>挑战

    碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV

    碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 (ZnO) 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏
    发表于 03-08 08:37

    碳化硅功率器件基本原理、性能优势、应用领域

    碳化硅功率器件主要包括碳化硅二极管(SiC Diode)、碳化硅晶体管(SiC Transistor)等。这些器件通过利用
    发表于 02-29 14:23 1509次阅读

    什么是离子注入离子注入的应用介绍

    离子注入是将高能离子注入半导体衬底的晶格中来改变衬底材料的电学性能的掺杂工艺。通过注入能量、角度和剂量即可控制掺杂浓度和深度,相较于传统的扩散工艺更为精确。
    的头像 发表于 02-21 10:23 4596次阅读
    什么是<b class='flag-5'>离子注入</b>?<b class='flag-5'>离子注入</b>的应用介绍

    简单认识碳化硅功率器件

    随着能源危机和环境污染日益加剧,电力电子技术在能源转换、电机驱动、智能电网等领域的应用日益广泛。碳化硅(SiC)功率器件作为第三代半导体材料的代表,具有高温、高速、高效、高可靠性等优点,被誉为“未来电力电子的新星”。本文将详细介
    的头像 发表于 02-21 09:27 1040次阅读

    碳化硅产业链图谱

    共读好书 碳化硅产业链主要由衬底、外延、器件、应用等环节组成。碳化硅晶片作为半导体衬底材料,根据电阻率不同可分为导电型、绝缘型。导电型衬底
    的头像 发表于 01-17 17:55 545次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>产业链图谱

    碳化硅特色工艺模块简介

    材料的生长和加工难度较大,其特色工艺模块的研究和应用成为了当前碳化硅产业发展的关键。 碳化硅特色工艺模块主要包括以下几个方面: 注入掺杂 在碳化硅
    的头像 发表于 01-11 17:33 764次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>特色工艺模块简介

    碳化硅功率器件简介、优势和应用

    碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子
    的头像 发表于 01-09 09:26 2660次阅读

    碳化硅器件领域,中外的现况如何?

    导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层,得到碳化硅外延片后进一步加工制成,品种包括SBD(肖特基二极管)、MOSFET
    发表于 12-27 10:08 422次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>领域,中外的现况如何?

    碳化硅离子注入和退火工艺介绍

    统的硅功率器件工艺中,高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法,两者各有优缺点。一般来说,高温扩散工艺简单,设备便宜,掺杂分布轮廓为等向性,且高温扩散工艺引入的晶格损伤低。离子注入工艺复杂且设备昂贵,但它可独立控制掺杂元素的浓度
    的头像 发表于 12-22 09:41 2703次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>离子注入</b>和退火工艺介绍

    碳化硅功率器件基本原理、应用领域及发展前景

    随着电力电子技术的不断发展,碳化硅(SiC)功率器件作为一种新型的半导体材料,逐渐在电力电子领域崭露头角。与传统的硅功率器件相比,碳化硅功率
    的头像 发表于 12-21 09:43 764次阅读

    三种碳化硅外延生长炉的差异

    碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工,需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆,这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现,高质量的
    的头像 发表于 12-15 09:45 2761次阅读
    三种<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延<b class='flag-5'>生长</b>炉的差异

    碳化硅器件介绍与仿真

    本推文主要介碳化硅器件,想要入门碳化硅器件的同学可以学习了解。
    的头像 发表于 11-27 17:48 1557次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>介绍与仿真