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6.1.4 半绝缘区域的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

深圳市致知行科技有限公司 2022-01-06 09:23 次阅读

6.1.4 半绝缘区域的离子注入

6.1 离子注入

第6章碳化硅器件工艺

《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

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