6.1.1 选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.1.2 n型区的离子注入
6.1 离子注入
第６章碳化硅器件工艺
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
SiC
+关注
关注
29文章
2718浏览量
62326
发布评论请先 登录
相关推荐
碳化硅功率器件在能源转换中的应用
碳化硅（SiC）功率器件作为一种新兴的能源转换技术，因其优异的性能在能源领域受到了广泛的关注。本文将介绍碳化硅功率器件的
碳化硅功率器件的技术优势
随着电力电子技术的飞速发展，传统的硅基功率器件因其物理特性的限制，已经逐渐难以满足日益增长的高性能、高效率、高可靠性的应用需求。在这一背景下，碳化硅（SiC）功率
碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 （ZnO） 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏
发表于 03-08 08:37
碳化硅功率器件的基本原理、性能优势、应用领域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二极管（SiC Diode）、碳化硅晶体管（SiC Transistor）等。这些器件通过利用
发表于 02-29 14:23
•1509次阅读
简单认识碳化硅功率器件
随着能源危机和环境污染日益加剧，电力电子技术在能源转换、电机驱动、智能电网等领域的应用日益广泛。碳化硅（SiC）功率器件作为第三代半导体材料的代表，具有高温、高速、高效、高可靠性等优点
碳化硅功率器件封装的关键技术
碳化硅器件的快速开关特性时面临诸多问题，例如杂散电感参数大、高温工作可靠性差以及多功能集成封装与高功率密度需求等。 1.低杂散电感封装技术 单管翻转贴片封装： 借鉴BGA封装
碳化硅特色工艺模块简介
材料的生长和加工难度较大，其特色工艺模块的研究和应用成为了当前碳化硅产业发展的关键。 碳化硅特色工艺模块主要包括以下几个方面： 注入掺杂 在碳化硅
碳化硅功率器件简介、优势和应用
碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子
碳化硅功率器件的实用性不及硅基功率器件吗
其未来应用前景广阔，具有很高的实用性。 首先，碳化硅功率器件的材料特性使其成为目前电力电子技术中的热门研究方向之一。相较于硅基功率器件，
碳化硅功率器件的基本原理、应用领域及发展前景
随着电力电子技术的不断发展，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新型的半导体材料，逐渐在电力电子领域崭露头角。与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率
碳化硅功率器件的原理和应用
随着科技的快速发展，碳化硅（SiC）功率器件作为一种先进的电力电子设备，已经广泛应用于能源转换、电机控制、电网保护等多个领域。本文将详细介绍碳化硅功率器件的原理、应用、
三种碳化硅外延生长炉的差异
碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆，这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现，高质量的
碳化硅是如何制造的？碳化硅的优点和应用
碳化硅，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度很多，但半导体级质
工商网监
评论