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通用分立功率半导体

测试评估平台

型号为EVAL_PS_DP_MAIN，适用产品为600-1200V的TO-247-3/4封装的IGBT，MOSFET，SiC MOSFET。

该评估平台的开发是为了让工程师研究MOSFET、IGBT及其驱动器的开关行为，适用产品为600-1200V的TO-247-3/4封装的IGBT，MOSFET， SiC MOSFET，它是现有双脉冲平台的改进版，该主板的最大电压为800V，最大脉冲电流为130A。

评估平台包括主板和目前的两个驱动子板。模块化设计是为了使该平台能够在将来用新的驱动子板进行扩展。

第一块驱动卡

REF-1EDC20I12MHDPV2

包含EiceDRIVER 1EDC Compact 1EDC20I12MH，它集成了一个有源米勒钳，防止寄生开启。

第二块驱动卡

REF-1EDC60H12AHDPV2

包括EiceDRIVER 1EDC Compact 1EDC60H12AH，允许正负电源供电，其中VCC2为+15V，GND2为负极。

产品特点

VCC2栅极驱动电压供应，从-5V到+20V

VCC1电源固定在+5V

通过SMA-BNC连接器进行栅极测试点连接

通过可选的同轴分流器测量电流

优化的换流回路

外部负载电感器连接

散热器设计允许在各种温度下进行测试

应用价值

可以作为客户系统中驱动设计的参考

可以对TO-247-3/4封装的IGBT，MOSFET, SiC MOSFET进行对比测试

模块化平台允许未来进行扩展

平台框图

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