９.３.６.2 负的栅极脉冲关断∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
碳化硅
+关注
关注
25文章
2847浏览量
49327
发布评论请先 登录
相关推荐
SiC碳化硅MOSFET功率器件双脉冲测试方法介绍
碳化硅革新电力电子，以下是关于碳化硅（SiC）MOSFET功率器件双脉冲测试方法的详细介绍，结合其技术原理、关键步骤与应用价值，助力电力电子
什么是MOSFET栅极氧化层？如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性？
随着电力电子技术的不断进步，碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐，成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分，
发表于 01-04 12:37
碳化硅MOSFET栅极氧化层缺陷的检测技术
在高效电能转换应用领域具有不可替代的优势，正逐渐成为功率半导体领域的主流选择。碳化硅器件的技术挑战尽管SiC器件性能优越，但其单晶和外延材料价格较高，工艺不成熟，
碳化硅功率器件在能源转换中的应用
碳化硅（SiC）功率器件作为一种新兴的能源转换技术，因其优异的性能在能源领域受到了广泛的关注。本文将介绍碳化硅功率器件的
碳化硅功率器件的工作原理和应用
碳化硅（SiC）功率器件近年来在电力电子领域取得了显著的关注和发展。相比传统的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有许多独特的优点，使其在高效能、高频率和高温环境下的应用中具有明显的优势。本
碳化硅功率器件的优点和应用
碳化硅（SiliconCarbide，简称SiC）功率器件是近年来电力电子领域的一项革命性技术。与传统的硅基功率器件相比，碳化硅功率
碳化硅功率器件有哪些优势
碳化硅（SiC）功率器件是一种基于碳化硅半导体材料的电力电子器件，近年来在功率电子领域迅速崭露头角。与传统的硅（Si）功率器件相比，
碳化硅栅极驱动器的选择标准
利用集成负偏压来关断栅极驱动在设计电动汽车、不间断电源、工业驱动器和泵等高功率应用时，系统工程师更倾向于选择碳化硅 (SiC) MOSFET，因为与 IGBT 相比，SiC
碳化硅功率器件的优势和分类
碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半导体器件，主要用于高频、高温、高压和高功率的电子应用。相比传统的硅（Si）基功率器件，
碳化硅(SiC)功率器件的开关性能比较
过去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率转换器中的高功率密度和高效率而备受关注。制造商们已经开始采用碳化硅技术来开发基于各种半导体器件的
碳化硅器件的类型及应用
碳化硅是一种广泛用于制造半导体器件的材料，具有比传统硅更高的电子漂移率和热导率。这意味着碳化硅器件能够在更高的温度和电压下工作，同时保持稳定性和效率。
发表于 04-16 11:54
•817次阅读
碳化硅功率器件特性及基本原理
碳化硅是一种宽带隙(Wide Bandgap,WBG)半导体材料，与传统的硅(Si)材料相比，具有更宽的能隙、更高的击穿电场强度和热导率。
发表于 03-19 11:12
•744次阅读
碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV
和发电机绕组以及磁线圈中的高关断电压。 棒材和管材EAK碳化硅压敏电阻 这些EAK非线性电阻压敏电阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。该系列采用棒材和管材制造，外径范围为 6 至 30
发表于 03-08 08:37
碳化硅功率器件的基本原理、性能优势、应用领域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二极管（SiC Diode）、碳化硅晶体管（SiC Transistor）等。这些器件通过利用
发表于 02-29 14:23
•1752次阅读
简单认识碳化硅功率器件
随着能源危机和环境污染日益加剧，电力电子技术在能源转换、电机驱动、智能电网等领域的应用日益广泛。碳化硅（SiC）功率器件作为第三代半导体材料的代表，具有高温、高速、高效、高可靠性等优点，被誉为“未来电力电子的新星”。本文将详细介
工商网监
评论