0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

绿色出行:英飞凌CoolSiC™功率模块可将有轨电车的能耗降低10%

英飞凌工业半导体 2022-03-08 09:18 次阅读

2022年2月14日,德国慕尼黑讯——全球逐步淘汰化石燃料这一趋势给包括交通运输在内的许多行业都带来了挑战。举例来说,整个社会向绿色出行方式转型,就需要减少短途航班及驾车出行,而这势必会促进轨道交通的发展。政府发布的减碳措施也印证了这一点:例如欧洲计划提供高达数十亿欧元的补贴来支持轨道交通的发展。随着传统的内燃机车、轨道车逐步被环保的电力机车所取代,交通运输行业的变革也即将来临。

为了满足绿色出行的要求,业界必须以提高能源效率为主要目标,进行新技术开发。顺应这一发展趋势,英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)即将推出采用XHP 2封装的CoolSiC MOSFET和.XT技术的功率半导体,这款专门定制的解决方案旨在满足轨道交通市场的需求。

3c3b9d06-9e3a-11ec-8b86-dac502259ad0.png

半导体解决方案助力打造低噪音有轨电车

英飞凌XHP 2功率模块的价值,早已在一次由西门子交通(Siemens Mobility)和Stadtwerke München(SWM)联合开展的实际道路测试中得到了证明。一辆搭载了这些功率模块的Avenio有轨电车在慕尼黑进行了为期一年的客运服务测试,行驶里程约6.5万公里。西门子交通总结道:使用基于碳化硅(SiC)技术的功率半导体,可将有轨电车的能耗降低10%。同时,还可显著降低发动机的运行噪声。

英飞凌科技工业功率控制事业部总裁Peter Wawer博士表示:

适用于轨道交通领域的创新半导体解决方案,是推动绿色出行的一项重要因素。这场在慕尼黑成功举办的有轨电车实际道路测试,证明了SiC技术能给制造商、铁路运营商和居民带来裨益。”这些测试在欧洲研发项目PINTA下进行,是欧盟庞大的研究创新计划Shift2Rail1的一部分,该计划旨在通过有针对性的投资,打造可持续发展的欧洲轨道交通系统

采用碳化硅技术提高能源效率

将SiC技术应用到牵引系统的功率模块中面临着一系列重要挑战:除了需要高效、可靠的SiC芯片之外,还需要能够支持高开关速度的封装形式,以及能够延长器件使用寿命的封装技术。而这些正是英飞凌功率模块的优势所在。由于火车会频繁地加减速,轨道交通相关应用对半导体的功率循环要求非常高。频繁的温度波动给内部互联技术带来了压力。英飞凌.XT技术针对这一挑战提供了解决方案。该技术显著提高了功率循环周次,提高器件使用寿命,多年来已成功应用于风力发电机等具有类似挑战性的应用场景。

在英飞凌的XHP 2功率模块中,内置的CoolSiC MOSFET芯片可在实现低损耗的同时,保持高可靠性。它们是提高能效的基础,目前已经在光伏系统等众多领域得到了广泛应用。英飞凌XHP 2封装具备低杂散电感、对称且可扩展的设计及高电流容量等特性,非常适用于SiC器件。

总之,碳化硅MOSFET除了可以应用于光伏和电动汽车充电基础设施等领域之外,还可以应用于轨道交通领域,显著提升能源效率。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    334

    文章

    26939

    浏览量

    215329
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET

    2024 年 7 月 24 日 – 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC™ G2
    发表于 07-25 16:14 623次阅读

    英飞凌推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000V

    英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格
    的头像 发表于 05-24 10:13 854次阅读
    <b class='flag-5'>英飞凌</b>推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新<b class='flag-5'>CoolSiC</b> MOSFET 2000V

    英飞凌与麦田能源携手推动绿色能源发展

    绿色能源行业的蓬勃发展中,英飞凌科技与麦田能源展开深度合作,共同为绿色能源的未来贡献力量。麦田能源作为逆变器及储能系统的领军制造商,与英飞凌科技携手,旨在通过先进的
    的头像 发表于 05-07 15:13 554次阅读

    英飞凌为小米新款SU7智能电动汽车提供碳化硅 (SiC) 功率模块

    近日,我们注意到在电动车行业中,小米电动汽车的新款SU7将由英飞凌科技提供具备碳化硅(SiC)元素的功率模块CoolSiC以及裸芯片产品。英飞凌
    的头像 发表于 05-07 11:30 381次阅读
    <b class='flag-5'>英飞凌</b>为小米新款SU7智能电动汽车提供碳化硅 (SiC) <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模块</b>

    搭上5G速度,去有风的地方看看春天

    别样的春日美景。 近日,通过引入5G技术,苏州有轨电车正在从“惠民”驶向“慧民”,为市民与城市带来了全新科技体验。据悉,该项目通过将5G与有轨电车业务深度融合,利用一张5G+有轨电车独立专网实现智慧运营、辅助驾驶、对
    发表于 03-29 14:23 241次阅读
    搭上5G速度,去有风的地方看看春天

    英飞凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V产品

    英飞凌科技股份公司,作为全球领先的半导体公司,近日推出了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列,这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装,为设计人员提供了满足更高功率密度需求的解决方案。
    的头像 发表于 03-20 10:27 749次阅读

    全面提升!英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC MOSFET G2

    电子发烧友网报道(文/梁浩斌)近日英飞凌推出了CoolSiC MOSFET G2技术,据官方介绍,这是新一代的沟槽栅SiC MOSFET技术,相比上一代产品也就是CoolSiC MOSFET G1有
    的头像 发表于 03-19 18:13 2856次阅读
    全面提升!<b class='flag-5'>英飞凌</b>推出新一代碳化硅技术<b class='flag-5'>CoolSiC</b> MOSFET G2

    英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V, 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度

    ™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线
    发表于 03-14 11:07 694次阅读
    <b class='flag-5'>英飞凌</b>推出全新<b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ MOSFET 2000 V, 在不影响系统可靠性的情况下提供更高<b class='flag-5'>功率</b>密度

    华为青浦研发基地小火车,上海兆越通讯赋能出行

    华为青浦有轨电车项目旨在为华为青浦研发中心提供便捷的交通服务,以方便员工在不同建筑物之间穿梭代步。这条有轨电车线路全长6.2公里,包含8座桥梁和1座箱涵,是国内首条单线双向运营的有轨电车工程。这条
    的头像 发表于 03-12 14:09 753次阅读
    华为青浦研发基地小火车,上海兆越通讯赋能<b class='flag-5'>出行</b>

    英飞凌推出TDM2254xD系列双相功率模块

    随着人工智能(AI)技术的飞速发展,全球数据生成量呈现爆发式增长,进而推动数据中心对高效、可靠且成本优化的功率解决方案的需求日益增长。为满足这一市场需求,英飞凌科技近日正式推出TDM2254xD系列双相功率
    的头像 发表于 03-12 09:44 755次阅读

    英飞凌推出G2 CoolSiC MOSFET进一步推动碳化硅技术的发展

    碳化硅(SiC)技术一直是推动高效能源转换和降低碳排放的关键,英飞凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代(G2)技术,也是要在这个领域提高了MOSFET的性能指标,扩大还在光伏、储能、电动汽车充电等领域的市场份额。
    的头像 发表于 03-12 09:33 770次阅读
    <b class='flag-5'>英飞凌</b>推出G2 <b class='flag-5'>CoolSiC</b> MOSFET进一步推动碳化硅技术的发展

    如何降低基于CYW43012设计的功率峰值?

    英飞凌为基于CYW43012的设计降低功率峰值提供了哪些指导。 开机和唤醒时似乎出现浪涌功率峰值。 基于 CYW43012 的模块似乎需要大
    发表于 02-29 07:34

    英飞凌发布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET

    英飞凌科技股份公司近日发布了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列。这款产品采用了先进的TO-247PLUS-4-HCC封装,规格为12-100mΩ,旨在满足高压应用的需求。
    的头像 发表于 02-01 10:51 797次阅读

    英飞凌推出全新62 mm封装CoolSiC产品组合,助力实现更高效率和功率密度

    【 2023 年 11 月 29 日 , 德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET
    发表于 12-05 17:03 799次阅读
    <b class='flag-5'>英飞凌</b>推出全新62 mm封装<b class='flag-5'>CoolSiC</b>产品组合,助力实现更高效率和<b class='flag-5'>功率</b>密度

    英飞凌推出全新62mm封装CoolSiC产品组合,助力实现更高效率和功率密度

    英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用新推出的增强型M1H碳化硅
    的头像 发表于 12-02 08:14 709次阅读
    <b class='flag-5'>英飞凌</b>推出全新62mm封装<b class='flag-5'>CoolSiC</b>产品组合,助力实现更高效率和<b class='flag-5'>功率</b>密度