9.5.10 极紫外光刻胶∈《集成电路产业全书》

9.5 光掩模和光刻胶材料

第9章 集成电路专用材料

《集成电路产业全书》下册

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往期内容：

9.5.9 KrF和ArF深紫外光刻胶∈《集成电路产业全书》

9.5.8 g线和i线的紫外光刻胶∈《集成电路产业全书》

9.5.7 光刻胶∈《集成电路产业全书》

9.5.6 硬掩模∈《集成电路产业全书》

9.5.5 极紫外光掩模∈《集成电路产业全书》

9.5.4 移相光掩模∈《集成电路产业全书》

9.5.3 匀胶铬版光掩模∈《集成电路产业全书》

9.5.2 光掩模基板材料∈《集成电路产业全书》

9.5.1 集成电路对光掩模材料的要求及发展∈《集成电路产业全书》

9.5 光掩模和光刻胶材料

9.4.15 化合物量子点材料∈《集成电路产业全书》

9.4.14 化合物量子阱材料∈《集成电路产业全书》

9.4.13 碳化硅薄膜∈《集成电路产业全书》

9.4.12 碳化硅单晶∈《集成电路产业全书》

9.4.11 蓝宝石晶体与衬底材料∈《集成电路产业全书》

9.4.10 氮化镓薄膜∈《集成电路产业全书》

9.4.9 氮化镓单晶∈《集成电路产业全书》

9.4.8 铟镓砷∈《集成电路产业全书》

9.4.7 磷化铟单晶制备∈《集成电路产业全书》

9.4.6 磷化铟的性质∈《集成电路产业全书》

9.4.5砷化镓外延∈《集成电路产业全书》

9.4.4 砷化镓热处理和晶片加工∈《集成电路产业全书》

9.4.3 砷化镓单晶的制备∈《集成电路产业全书》

9.4.2 集成电路对化合物半导体材料的要求∈《集成电路产业全书》

9.4.1 化合物半导体材料∈《集成电路产业全书》

9.4 化合物半导体

9.3.14 诱生微缺陷∈《集成电路产业全书》

9.3.13 外延缺陷∈《集成电路产业全书》

9.3.12 氧化诱生层错∈《集成电路产业全书》

9.3.11 失配位错∈《集成电路产业全书》

9.3.10 滑移位错∈《集成电路产业全书》

9.3.9 直拉单晶硅中的金属杂质∈《集成电路产业全书》

9.3.8 直拉单晶硅中的氮∈《集成电路产业全书》

9.3.7 直拉单晶硅中的碳∈《集成电路产业全书》

9.3.6 直拉单晶硅中的氧∈《集成电路产业全书》

9.3.5 微缺陷∈《集成电路产业全书》

9.3.4 体缺陷∈《集成电路产业全书》

9.3.3 面缺陷∈《集成电路产业全书》

9.3.2 线缺陷∈《集成电路产业全书》

9.3.1 点缺陷∈《集成电路产业全书》

9.3硅材料中的缺陷与杂质

9.2.7 硅片清洗与包装∈《集成电路产业全书》

9.2.6 抛光工艺和抛光片∈《集成电路产业全书》

9.2.5 研磨工艺∈《集成电路产业全书》

9.2.4 切片工艺∈《集成电路产业全书》

9.2.3 晶锭切断工艺∈《集成电路产业全书》

9.2.2 晶体定向∈《集成电路产业全书》

9.2.1 晶体热处理∈《集成电路产业全书》

9.2 硅片加工

9.1.12 硅基发光材料∈《集成电路产业全书》

9.1.11 硅基石墨烯∈《集成电路产业全书》

9.1.10 硅基碳管∈《集成电路产业全书》

9.1.9 硅基应变硅薄膜∈《集成电路产业全书》

9.1.8 硅基SiGe薄膜∈《集成电路产业全书》

9.1.7 SOI材料∈《集成电路产业全书》

9.1.6 硅外延单晶薄膜∈《集成电路产业全书》

9.1.5 纳米硅材料∈《集成电路产业全书》

9.1.4 非晶硅薄膜∈《集成电路产业全书》

9.1.3 单晶硅∈《集成电路产业全书》

9.1.2 高纯多晶硅∈《集成电路产业全书》

9.1.1 集成电路对硅材料的要求∈《集成电路产业全书》

9.1 硅材料

第9章 集成电路专用材料

8.13.6 液体颗粒计数仪（LPC）∈《集成电路产业全书》

8.13 生产线其他相关设备

8.12.8 测试议表∈《集成电路产业全书》

8.12 集成电路测试设备

8.11.14 反应腔室∈《集成电路产业全书》

8.11 主要公用部件

8.10.16 激光打标设备∈《集成电路产业全书》

8.9 工艺检测设备8.8.12 电化学镀铜设备（Cu-ECP）∈《集成电路产业全书》
8.8 湿法设备
8.7.18 等离子体刻蚀设备中的静电吸盘∈《集成电路产业全书》
8.7 等离子体刻蚀设备
8.6.25 匀胶机（Spin Coater）∈《集成电路产业全书》8.6薄膜生长设备8.5.9 快速热处理设备∈《集成电路产业全书》
8.5扩散及离子注入设备
8.4.14 湿法去胶设备∈《集成电路产业全书》
8.4光刻设备