8.2.6 功率MOSFET 的实施：DMOSFET和UMOSFET∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》-电子发烧友网

8.2.6 功率MOSFET 的实施：DMOSFET和UMOSFET∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.2.6 功率MOSFET 的实施：DMOSFET和UMOSFET

8.2 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)

第８章单极型功率开关器件

《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

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什么是MOSFET栅极氧化层？如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性？

随着电力电子技术的不断进步，碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐，成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅

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碳化硅功率器件在能源转换中的应用

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碳化硅功率器件的优势和应用领域

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碳化硅(SiC)功率器件的开关性能比较

过去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率转换器中的高功率密度和高效率而备受关注。制造商们已经开始采用

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碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV

和发电机绕组以及磁线圈中的高关断电压。棒材和管材EAK碳化硅压敏电阻这些EAK非线性电阻压敏电阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。该系列采用棒材和管材制造，外径范围为 6 至 30

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碳化硅功率器件的基本原理、性能优势、应用领域

碳化硅功率器件主要包括碳化硅二极管（SiC Diode）、碳化硅晶体管（SiC Transistor）等。这些

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