上海陆芯电子科技有限公司拥有最新一代Trench Field-Stop技术的400V 200A~400A系列IGBT、650V 5A~200A系列IGBT、1200V&1350V 10A~100A系列IGBT,1700V系列IGBT,Hybrid系列IGBT,中压SGT MOS等多个系列产品;性能优异,可靠性和稳定性高,广泛应用于新能源电动汽车、电机驱动领域、高频电源领域、感应加热等领域。
上海陆芯的产品(IGBT、Hybrid、SGT MOS、FRD)包括芯片、单管和模块,具有以下技术优势:
1.优化耐压终端环,实现IGBT高阻断电压,达到工业级和汽车级可靠性标准;
2.控制少子寿命,优化饱和压降和开关速度,实现安全工作区(SOA)和短路电流安全工作区SCSOA性能最优;
3.改善IGBT有源区元胞设计可靠性,抑制IGBT的闩锁效应;
4.调节背面减薄、注入、退火、背金等工艺;实现60um~180um晶圆厚度的大规模量产。
IGBT模块Module
LGM200HF120S4F1A 1200V 200A 半桥
用于:UPS 工业变频储能 焊机
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
UPS
+关注
关注
20文章
1093浏览量
91377 -
IGBT
+关注
关注
1251文章
3592浏览量
245234
发布评论请先 登录
相关推荐
TIDA-01042-适用于 50A、100A 和 200A 应用的模块化电池测试仪PCB layout 设计
电子发烧友网站提供《TIDA-01042-适用于 50A、100A 和 200A 应用的模块化电池测试仪PCB layout 设计.pdf》
发表于 05-11 11:30
•0次下载
![TIDA-01042-适<b class='flag-5'>用于</b> 50<b class='flag-5'>A</b>、100<b class='flag-5'>A</b> 和 <b class='flag-5'>200A</b> 应用的<b class='flag-5'>模块</b>化电池测试仪PCB layout 设计](https://file.elecfans.com/web1/M00/D9/4E/pIYBAF_1ac2Ac0EEAABDkS1IP1s689.png)
先导中心推出1200V 100A三电平全碳化硅模块新品
在成功发布首款1200V 100A H桥全碳化硅模块后,先导中心再度展现了其技术实力,推出了全新的1200V 100
纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET
纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品,该产品RDSon为60mΩ,具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式,可提供车
![纳<b class='flag-5'>芯</b>微发布首款<b class='flag-5'>1200V</b> SiC MOSFET](https://file1.elecfans.com//web2/M00/CB/CB/wKgaomYfYCuAXbLXAADxcp-jGS8595.png)
基本半导体推出一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块
BMF240R12E2G3是基本半导体为更好满足工业客户对高效和高功率密度需求而开发的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块
![基本半导体推出一款<b class='flag-5'>1200V</b> 240<b class='flag-5'>A</b>大功率碳化硅MOSFET<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>桥</b><b class='flag-5'>模块</b>](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C8/C7/wKgaomYXO7eAcBNOAAAOwl2IXj8401.jpg)
1200V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N120SA数据手册
电子发烧友网站提供《1200V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N120SA数据手册.pdf》资料免费下载
发表于 04-10 18:05
•1次下载
1200V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N120HA数据手册
电子发烧友网站提供《1200V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N120HA数据手册.pdf》资料免费下载
发表于 04-10 18:02
•0次下载
1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120UE数据手册
电子发烧友网站提供《1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120UE数据手册.pdf》资料免费下载
发表于 04-10 17:16
•0次下载
1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120SE数据手册
电子发烧友网站提供《1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120SE数据手册.pdf》资料免费下载
发表于 04-10 17:14
•0次下载
1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120HE数据手册
电子发烧友网站提供《1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120HE数据手册.pdf》资料免费下载
发表于 04-10 17:11
•0次下载
1200V 25A沟槽和场阻IGBT JJT25N120SE数据手册
电子发烧友网站提供《1200V 25A沟槽和场阻IGBT JJT25N120SE数据手册.pdf》资料免费下载
发表于 04-10 16:59
•0次下载
1200V 15A沟槽和场阻IGBT JJT15N120SE数据手册
电子发烧友网站提供《1200V 15A沟槽和场阻IGBT JJT15N120SE数据手册.pdf》资料免费下载
发表于 04-10 15:23
•0次下载
Vishay推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块
日前,Vishay 推出五款采用改良设计的 INT-A-PAK 封装新型半桥 IGBT 功率模块。新型器件由 VS-GT100TS065
![Vishay推出五款采用改良设计的INT-<b class='flag-5'>A</b>-PAK封装新型<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>桥</b><b class='flag-5'>IGBT</b>功率<b class='flag-5'>模块</b>](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C3/3B/wKgZomXqZzaAAGOvAAAOgCMwBl0790.jpg)
Qorvo发布1200V碳化硅模块
全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块。这些模块包括两款半
用于高速开关应用的1200V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET
增强型1代1200V CoolSiC™ MOSFET的EasyDUAL™ 1B半桥模块,采用Pr
发表于 07-28 14:22
•295次阅读
评论