NP4836高VGS耐压，独立双N沟道MOS-电子发烧友网

NP4836高VGS耐压，独立双N沟道MOS

NP4836高VGS耐压，双N沟道，独立双NMOS，采用SOP8封装，

TDM3478，FP6606C，FP6606AC ，FP6601Q，FP6601AA

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MOS管的导通电压与漏电流关系

）达到某一阈值（Vt或Vth，即阈值电压）时，MOS管开始导通。对于N沟道MOS管，当VGS大于Vt时，栅极下的P型硅表面发生强反型，形成连

发表于 11-05 14:03 •265次阅读

高功率MOS管的选择指南

高功率MOS管的选择涉及多个关键因素，以确保所选器件能够满足特定的应用需求。以下是一个选择指南：一、确定沟道类型 N沟道

发表于 11-05 13:40 •207次阅读

领泰LT18N20SR稳压N沟道MOS管

MOSFET 制造商领泰-LEADTECK LT18N20SR —— 技术参数 —— TYP N Package TO252-2L VDS(V) 200 VGS(V) ±20 ID(A) 18

发表于 09-25 14:21

XTR111输出电流开路时，VG引脚输出电压会超过MOS管的VGS，会导致MOS管损坏？

30V供电，输出电流开路时，VG引脚输出电压会超过MOS管的VGS，会导致MOS管损坏？是不是电源电压不能超过mos管的VGS？

发表于 08-07 07:30

MT11G035B—N MOS：革新电子领域的强劲动力

首先，我们来了解MT11G035B—N MOS的技术特点。这款N型沟道增强型场效应晶体管具有出色的电气性能。其最大漏源电压VDS可达100V，这意味着它在

发表于 07-04 16:18 •415次阅读

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mos管的原理与特点介绍

，所以又叫绝缘栅场效应管。 MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。工作原理 MOS管的工作状态主要取决于栅源电压Vgs。当Vgs高于一定的阈值电压时，

发表于 06-09 11:51 •1003次阅读

《AO9926B双N沟道MOS管（20V7.6A）》

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发表于 04-12 13:43

合科泰半导体推出一款N沟道MOS管HKTQ80N03

MOS管有N沟道MOS和 P沟道MOS等，N

发表于 04-12 11:22 •729次阅读

合科泰半导体推出一款<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b><b class='flag-5'>MOS</b>管HKTQ80<b class='flag-5'>N</b>03

场效应管怎么区分n沟道p沟道（MOS管导通条件）

按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称MOS管，并且大多采用增强型的N沟道，其次是增强型的P沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。

发表于 03-06 16:52 •6392次阅读

场效应管怎么区分<b class='flag-5'>n</b><b class='flag-5'>沟道</b>p<b class='flag-5'>沟道</b>（<b class='flag-5'>MOS</b>管导通条件）

60 V，双N沟道沟槽MOSFET 2N7002AKS-Q数据手册

电子发烧友网站提供《60 V，双N沟道沟槽MOSFET 2N7002AKS-Q数据手册.pdf》资料免费下载

发表于 02-21 13:57 •0次下载

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介绍一款用于电机驱动电路的N沟道MOS管HKTG90N03

N沟MOS管作为一种非常常见的MOS管，它是由P型衬底和两个高浓度N扩散区构成的MOS管叫作N

发表于 01-13 10:25 •1372次阅读

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P沟道MOS管导通条件有哪些

电子设备中。与N沟道MOS管相比，P沟道MOS管的导电沟道由P型半导体材料构成，因此其导通条件与

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n沟道mos管和p沟道mos管详解

场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件。根据导电沟道的类型，场效应晶体管可以分为n沟道和p沟道两种类型。本文将对

发表于 12-28 15:28 •2w次阅读

<b class='flag-5'>n</b><b class='flag-5'>沟道</b><b class='flag-5'>mos</b>管和p<b class='flag-5'>沟道</b><b class='flag-5'>mos</b>管详解

如何判定一个MOS晶体管是N沟道型还是P沟道型呢？

MOS的三个极怎么判定？是N沟道还是P沟道？ MOS是金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Fi

发表于 11-30 14:24 •1392次阅读

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发表于 11-23 09:13 •4190次阅读

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