NP4836高VGS耐压，独立双N沟道MOS
NP4836高VGS耐压，双N沟道，独立双NMOS，采用SOP8封装，
TDM3478，FP6606C，FP6606AC ，FP6601Q，FP6601AA
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MOSFET
制造商
领泰-LEADTECK
LT18N20SR
—— 技术参数 ——
TYP
N
Package
TO252-2L
VDS(V)
200
VGS(V)
±20
ID(A)
18
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