安森德ASDM30N90Q是一款中低压场效应管(MOS管)产品,可替代美国万代(AOS)的AONS36304。
ASDM30N90Q一般特征
●低门电荷
●先进的沟槽技术
●提供优秀的RDS(ON)
●高功率和电流处理能力
●提供DFN5*6-8封装
ASDM30N90Q主要参数
类型:N沟道
漏源电压(Vdss):30V
连续漏极电流(Id):80A
功率(Pd):65W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.6mΩ@10V,30A
阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs):40nC@10V
输入电容(Ciss@Vds):2.12nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds):253pF@15V
工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)
ASDM30N90Q应用
●负载开关
●PWM应用
●电源管理
AONS36304主要特征
类型:N沟道
漏源电压(Vdss):30V
漏极电流(Id):85A
工作温度:-50℃~+150℃@(Tj)
DFN5*6-8封装
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
MOS管
+关注
关注
108文章
2395浏览量
66597
发布评论请先 登录
相关推荐
AP30H50Q 快充vbus开关mos管-30V mos管参数规格书
供应AP30H50Q 快充vbus开关mos管-30V mos管参数规格书,是ALLPOWER铨
发表于 10-19 10:32
•0次下载
30V MOS管 60V MOS管 100V MOS管-5N10N通道MOS管-HC5N10 100V5A 低结电容 高性价比
就是芯片+mos管的驱动方式、5A以内的普通逻辑开关或者高频开关应用。
惠海****MOS管在典型应用领域的推荐
如下是惠海3400 5N0
发表于 10-11 09:47
LM25145使用中上MOS管90度发热严重,SW占空比跳变,COMP环路参数如何调节?
3.5Ohm电阻负载后,SW波形上下冲严重且上MOS-Q1温升较快,30分钟内可达80度,1小时后最终温度稳定在90度,整板周围器件温度可达75度,上MOS-Q1温度达到
发表于 09-27 07:41
30V MOS管 60VMOS管 100VMOS管 150VMOS管推荐
MOS管,即金属氧化物半导体场效应管,其工作原理是:在P型半导体与N型半导体之间形成PN结,当加在MOS
发表于 05-28 15:36
SLD60N02T 规格书 60A 20V美浦森 贴片TO-252MOS管
深圳市三佛科技有限公司介绍
SLD60N02T : 60A 20VTO-252N沟道 MOS场效应管
品牌:美浦森
型号:SLD60
发表于 04-30 17:52
SLD60N02T美浦森 TO-252封装 60A 20V MOS管
深圳市三佛科技有限公司介绍SLD60N02T : 60A 20VTO-252N沟道 MOS场效应管
品牌:美浦森
型号:SLD60
发表于 04-26 14:37
mos管怎么判断是n型还是p型
调节电流流动。 MOS管的结构主要由一个硅基片(substrate)、一层绝缘层(oxide)和两个附加区域(source和drain)组成。绝缘层在源、漏之间形成一个电子通道,控制电流的流动。根据源
n沟道mos管和p沟道mos管详解
场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件。根据导电沟道的类型,场效应晶体管可以分为n沟道和p沟道两种类型。本文将对n
评论