10.1.5 负栅电容晶体管∈《集成电路产业全书》
Negative Capative MOSFET(NC-MOSFET)
审稿人：北京大学 蔡一茂 喻志臻
https://www.pku.edu.cn
审稿人：北京大学 张兴
10.1 非传统新结构器件
第10章 集成电路基础研究与前沿技术发展
《集成电路产业全书》下册
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
晶体管
+关注
关注
77文章
9801浏览量
139088
发布评论请先 登录
相关推荐
集成电路的引脚识别及故障检测
一、集成电路的引脚识别 集成电路是在同一块半导体材料上，利用各种不同的加工方法同时制作出许多极其微小的电阻、电容及晶体管等电路元器件，并将它
浮栅晶体管的组成结构以及原理
浮栅晶体管主要是应用于于非易失性存储器之中，比如nand flash中的基本单元，本文介绍了浮栅晶体管的组成结构以及原理。 上图就是浮栅
基于铁电晶体管科研，共探集成电路的创新之路
局限性，这促使学术界和产业界开始探索新的计算架构和信息器件。在后摩尔时代，铁电晶体管（FeFET）作为一种新型的信息器件，因其在存储和计算领域的潜在应用而备受关注。 泰克科技 与 北京大学集成电路学院唐克超课题组 联合举办
单片集成电路和混合集成电路的区别
设计、制造、应用和性能方面有着显著的差异。 单片集成电路（IC） 定义 单片集成电路是指在一个单一的半导体芯片（如硅片）上集成了多个电子元件（如晶体管、电阻、
CMOS晶体管的工作原理和结构
CMOS晶体管，全称为互补金属氧化物半导体晶体管，是现代电子设备中不可或缺的组成部分，尤其在计算机处理器和集成电路制造中扮演着核心角色。
芯片晶体管的深度和宽度有关系吗
一、引言 有关系。随着集成电路技术的飞速发展，芯片晶体管作为电子设备的核心元件，其性能的优化和制造技术的提升成为了行业关注的焦点。在晶体管的众多设计参数中，深度和宽度是两个至关重要的因素。它们不仅
PNP晶体管符号和结构 晶体管测试仪电路图
PNP晶体管是一种双极性晶体管，用于电子电路中放大、开关和控制电流的器件。与NPN晶体管相对应，PNP晶体管的结构特点在于其三个不同的半导体
降压开关稳压器如何使用串联晶体管
（是绝缘栅双极晶体管或 IGBT）作为其主要开关器件，如下所示。 降压开关稳压器 降压开关稳压器 我们可以看到，降压转换器的基本电路配置是串联晶体管开关TR 1以及相关的驱动
发表于 06-18 14:19
微电子所在《中国科学：国家科学评论》发表关于先进CMOS集成电路新结构晶体管的综述论文
来源：中国科学院微电子研究所 金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）是推动大规模CMOS集成电路按照“摩尔定律”持续微缩并不断发展的核心器件。近十几年，为突破更小技术节点下的微缩挑战
晶体管的分类与作用
坚实的基础，更为后来的集成电路、大规模集成电路乃至超大规模集成电路的诞生和发展提供了可能。本文将详细探讨晶体管的分类及其作用，以期为读者提供一个全面且深入的理解。
专用集成电路简称叫什么 集成电路按功能可分为哪两种
专用集成电路的简称是ASIC，即Application Specific Integrated Circuit。 集成电路（Integrated Circuit）是指将大量的电子器件（如晶体管、电阻
绝缘栅双极晶体管的工作原理和结构
绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种功率半导体，具有MOSFET 的高速、电压相关栅极开关特性以及 BJT 的最小导通电阻（低饱和电压）特性。
什么是达林顿晶体管？达林顿晶体管的基本电路
达林顿晶体管（Darlington Transistor）也称为达林顿对（Darlington Pair），是由两个或更多个双极性晶体管（或其他类似的集成电路或分立元件）组成的复合结构。通过这种结构，第一个双极性
工商网监
评论