声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
集成电路
+关注
关注
5388文章
11547浏览量
361828
发布评论请先 登录
相关推荐
高纯碳化硅粉体合成方法
本文介绍了半导体材料碳化硅的性能、碳化硅单晶生长以及高纯碳化硅粉体的合成方式。 在科技飞速发展的今天,半导体材料领域正经历着一场深刻的变革。第三代宽禁带半导体材料碳化硅(SiC),
碳化硅在半导体产业中的发展
碳化硅(SiC)在半导体产业中的发展呈现出蓬勃的态势,其独特的物理和化学性质使其成为新一代高性能半导体材料的佼佼者。以下是对碳化硅在半导体产业中发展的分析: 一、
碳化硅衬底,进化到12英寸!
电子发烧友网报道(文/梁浩斌)碳化硅产业当前主流的晶圆尺寸是6英寸,并正在大规模往8英寸发展,在最上游的晶体、衬底,业界已经具备大量产能,8英寸的碳化硅晶圆产线也开始逐渐落地,进入试产阶段。 让
碳化硅功率器件的工作原理和应用
碳化硅(SiC)功率器件近年来在电力电子领域取得了显著的关注和发展。相比传统的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有许多独特的优点,使其在高效能、高频率和高温环境下的应用中具有明显的优势。本文将探讨碳化硅功率器件的原理、优势、应用及其
碳化硅功率器件的优点和应用
碳化硅(SiliconCarbide,简称SiC)功率器件是近年来电力电子领域的一项革命性技术。与传统的硅基功率器件相比,碳化硅功率器件在性能和效率方面具有显著优势。本文将深入探讨碳化硅功率器件的基本原理、优点、应用领域及其发展
厚度达100 mm! 碳化硅单晶生长取得新进展
为了解决难题,联合实验室采用的是提拉式物理气相传输(Pulling Physical Vapor Transport, PPVT)法,成功生长出直径为6英寸(即150 mm)的碳化硅单晶,其厚度突破了100 mm。
碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 (ZnO) 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏
发表于 03-08 08:37
河南第一块8英寸碳化硅SiC单晶出炉!
平煤神马集团碳化硅半导体粉体验证线传来喜讯——实验室成功生长出河南省第一块8英寸碳化硅单晶,全面验证了中宜创芯公司碳化硅半导体粉体在长晶方面的独特优势。
碳化硅降本关键:晶体制备技术
%。 成本占比较高的原因,主要是碳化硅单晶材料的制备难度较大。硅由于存在液体形态,所以可以通过垂直拉伸来形成晶棒,但碳化硅本身属于化合物,无法直接熔融结晶成为晶体。换个说法就是碳化硅在常压下没有液体形态,只有气态和固态,达到
碳化硅产业链图谱
共读好书 碳化硅产业链主要由衬底、外延、器件、应用等环节组成。碳化硅晶片作为半导体衬底材料,根据电阻率不同可分为导电型、半绝缘型。导电型衬底可用于生长碳化硅外延片,制成耐高温、耐高压的
碳化硅单晶衬底的常用检测技术
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,因其宽禁带宽度、高击穿电场强度和高热导率等优异性能,在众多高端应用领域表现出色,已成为半导体材料技术的重要发展方向之一。SiC衬底分为导电型和半绝缘型两种,各自适用于不同的外延层和应用场景。
碳化硅特色工艺模块简介
材料的生长和加工难度较大,其特色工艺模块的研究和应用成为了当前碳化硅产业发展的关键。 碳化硅特色工艺模块主要包括以下几个方面: 注入掺杂 在碳化硅中,碳硅键能较高,杂质原子难以在其中扩
碳化硅功率器件简介、优势和应用
碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件,主要包括
评论