声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
逆变器
+关注
关注
288文章
4790浏览量
208447 -
碳化硅
+关注
关注
25文章
2900浏览量
49472
发布评论请先 登录
相关推荐
碳化硅功率器件的散热方法
碳化硅(SiC)作为一种宽禁带半导体材料,因其耐高压、耐高温、高开关速度和高导热率等优良特性,在新能源、光伏发电、轨道交通和智能电网等领域得到广泛应用。然而,碳化硅功率
什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?
随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分,栅极氧化层对
发表于 01-04 12:37
碳化硅功率器件在能源转换中的应用
碳化硅(SiC)功率器件作为一种新兴的能源转换技术,因其优异的性能在能源领域受到了广泛的关注。本文将介绍碳化硅功率器件的

碳化硅功率器件的工作原理和应用
碳化硅(SiC)功率器件近年来在电力电子领域取得了显著的关注和发展。相比传统的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有许多独特的优点,使其在高效能、高频率和高温环境下的应用中具有明显的优势。本

基本半导体携多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC国际光伏展
产品,吸引逾50万专业观众参与。 基本半导体携2000V/1700V系列高压碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工业级碳化硅功率模块PcoreTM2 E1B、工业级碳化硅半桥

碳化硅器件的类型及应用
碳化硅是一种广泛用于制造半导体器件的材料,具有比传统硅更高的电子漂移率和热导率。这意味着碳化硅器件能够在更高的温度和电压下工作,同时保持稳定性和效率。
发表于 04-16 11:54
•865次阅读
碳化硅功率器件特性及基本原理
碳化硅是一种宽带隙(Wide Bandgap,WBG)半导体材料,与传统的硅(Si)材料相比,具有更宽的能隙、更高的击穿电场强度和热导率。
发表于 03-19 11:12
•783次阅读
碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV
圆盘的能量吸收范围高达 122,290J,允许圆盘组件具有数十兆焦耳的极高能量吸收额定值。 电气参数 EAK碳化硅磁盘应用来自雷电、电感或电容耦合的电源过电压。开关带感性负载的触点。变压器、电机
发表于 03-08 08:37
评论