BeSTMOS 600V 650V 700V TO-220F TO-247 TO-252 选型说明
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
晶圆
+关注
关注
52文章
4830浏览量
127721
发布评论请先 登录
相关推荐
适合应用在高频开关型电源、电子镇流器、UPS等MOS管有哪些呢
着不同的特性 MOT7N65AF TO220F VDSS:650V RDS（ON)MAX(@VGS=10V:1.2Ω Qg@type :29nC ID:7A MOT8N65MF TO-220F
氢能加油设备出口加拿大600V转380V 、220V变压器 技术文章解析
（一）600V 转 380V 的重要性
适配工业用电标准
在加拿大的工业环境中，380V 是一种常见的三相电压标准。氢能加油设备中的许多大型压缩机、泵等工业级组件通常需要在 380V
森国科推出650V/60A IGBT
森国科近期推出的650V/60A IGBT（型号：KG060N065LD-R），凭借其业界领先的低传导损耗和高速开关性能，在电力电子领域引起了广泛关注。
汽车650V GaN功率级顶部冷却QFN 12x12封装的热设计和性能
电子发烧友网站提供《汽车650V GaN功率级顶部冷却QFN 12x12封装的热设计和性能.pdf》资料免费下载
发表于 09-24 11:27
•0次下载
新品 | 650V高速半桥栅极驱动器2ED2388S06F
新品650V高速半桥栅极驱动器2ED2388S06F650V高速半桥栅极驱动器，具有典型的0.29A源电流和0.7A灌电流，采用DSO-8封装，用于驱动功率MOSFET和IGBT。产品型号
纳微正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列
氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，
1A，700V N沟道功率MOSFET UTC1N70-LC数据手册
电子发烧友网站提供《1A，700V N沟道功率MOSFET UTC1N70-LC数据手册.pdf》资料免费下载
发表于 05-30 16:11
•0次下载
650V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N65UH数据手册
电子发烧友网站提供《650V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N65UH数据手册.pdf》资料免费下载
发表于 04-10 17:10
•0次下载
650V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N65HE数据手册
电子发烧友网站提供《650V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N65HE数据手册.pdf》资料免费下载
发表于 04-10 17:08
•0次下载
650V 10A沟槽和场阻IGBT JJT10N65SC资料文档
电子发烧友网站提供《650V 10A沟槽和场阻IGBT JJT10N65SC资料文档.pdf》资料免费下载
发表于 04-08 17:15
•1次下载
扬杰科技推出50A 650V TO-247封装IGBT单管
近日，国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）再度刷新业界认知，推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A 650V TO-247封装IGBT单管产品
英飞凌发布650V软特性发射极控制高速二极管EC7
英飞凌科技股份公司近日发布了全新的650V软特性发射极控制高速二极管EC7。这款二极管采用TO247-2封装，具有2个引脚，不仅增加了安规距离，提高了可靠性，而且适用于多种应用场景。
碳化硅MOS/超结MOS在直流充电桩上的应用
MOS管在直流充电桩上的应用，推荐瑞森半导650V/1200V碳化硅MOS系列，600V/650V超结MOS系列
工商网监
评论