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10.1.1 碰撞电离和雪崩击穿∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

深圳市致知行科技有限公司 2022-04-02 11:05 次阅读

10.1.1 碰撞电离和雪崩击穿

10.1 SiC功率器件的阻断电压和边缘终端

第10章功率器件的优化和比较

《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

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