hy1710场效应管代换料APG042N01 145a 100v mos管
MOS管是电子制造的基本元件，不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管及功能和特性有所不同，影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容等，同一类型不同品牌间耐压、导通电阻、封装基本一致的话也可相互兼容代换的。
hy1710场效应管代换料APG042N01特征
■ 100V,145A,RDs(on)<4.2mΩ @Vcs=10V
■ 沟槽功率 MOSFET
■ 较低的导通电阻和低栅极电荷
APG042N01 100V低内阻mos管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好等特点，被典型应用于DC/DC转换器、便携式设备的负载开关、电池开关、整流器等领域，其功能参数和HY1710基本一致，在实际应用中APG042N01 145a 100v mos管220封装可兼容代换HY1710。
选择到一款合适的MOS管，可为产品在未来的使用过程中，充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果，更多MOS的选型及APG042N01 n沟道mos管100v 产品特性参数请向骊微电子申请。>>
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOS管
+关注
关注
108文章
2393浏览量
66573
发布评论请先 登录
相关推荐
什么是N沟道场效应管和P沟道场效应管
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种通过改变电场来控制半导体材料导电性能的电子器件。根据导电沟道中载流子的类型，场效应管可以分为N沟道场效应管和
N沟道场效应管和P沟道场效应管有什么区别
N沟道场效应管（N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET）和P沟道场效应管（P-Ch
N沟道结型场效应管的工作原理
N沟道结型场效应管（N-Channel Junction Field Effect Transistor, N-Channel JFET）的工作原理是半导体器件领域中的一个重要概念，它
场效应管N沟道和P沟道怎样判断
场效应管（Field-Effect Transistor, FET）的N沟道和P沟道是其两种主要类型，它们在导电机制、结构特点、工作原理及应用场景上存在显著差异。要准确判断一个场效应管是N
场效应管与IGBT能通用吗
场效应管（Field-Effect Transistor，FET）和绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是两种不同类型的半导体器件，它们
MT3287 N沟道场效应管70V,80A,6.8mΩ。
MT3287 N沟道场效应管是一款高性能的半导体器件，广泛应用于各种电子设备和系统中。其独特的70V耐压、80A的电流承载能力以及6.8毫欧的低电阻特性，使得它在电力电子、工业自动化、
场效应管的雪崩电流解析
在电子工程领域，场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）作为一种重要的半导体器件，广泛应用于各种电子设备和电路中。其中，功率MOS场效应管（MOSFET）因其独特的性能
如何判断场效应管的好坏
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种利用电场效应控制半导体材料的导电性能的电子器件。它在电子电路、信号处理、功率放大等领域有着广泛的应用。然而，由于制造工艺
APG10N10G 100v贴片mos管-PD快充同步整流mos管规格书参数
骊微电子供应APG10N10G 100v贴片mos管，提供APG10N10GPD快充同步整流mos
发表于 03-25 15:33
•0次下载
逆变器的场效应管发热原因
逆变器的场效应管发热原因 逆变器是一种将直流电转换为交流电的装置，常用于太阳能发电、风能发电等可再生能源系统中。其中，场效应管（MOSFET）是逆变器中的关键元件，负责开关直流电，实现直流电的变换
场效应管的分类和区别
变大。
如果在栅源之间加负向电压，沟道电阻会越来越小失去控制的作用。漏极和源极可以互换。
2、绝缘栅型场效应管分为N沟道和P沟道，每一种又分为增强型和耗尽型。
N沟道增强型MOS
发表于 01-30 11:51
结型场效应管和金属氧化物场效应管的分类
电压时导电沟道是低阻状态，加上控制电压沟道电阻逐渐变大。
2、绝缘栅型场效应管分为N沟道和P沟道，每一种又分为增强型和耗尽型。
N沟道增强型MOS管
发表于 01-30 11:38
2586场效应管能不能使用3205场效应管代替？
替代原有场效应管的替代品。本文将详细比较分析2586场效应管和3205场效应管两种常见型号的特性和性能，以确定3205能否替代2586。 一. 2586场效应管的介绍 2586
multisim怎么修改场效应管MOS的参数
、场效应管MOS的基本原理 MOS是一种三端器件，由一个金属栅极和两个掺杂的硅衬底构成。它通过加在栅极上的电压控制硅衬底上的n型或p型区域中形成的沟道中的电流。栅极电压也可以改变沟道的
工商网监
评论