10.2.2 横向漂移区
10.2 单极型器件漂移区的优化设计
第10章功率器件的优化和比较
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
碳化硅
+关注
关注
25文章
2691浏览量
48873
发布评论请先 登录
相关推荐
碳化硅功率器件在能源转换中的应用
碳化硅(SiC)功率器件作为一种新兴的能源转换技术,因其优异的性能在能源领域受到了广泛的关注。本文将介绍碳化硅功率器件的
碳化硅器件的类型及应用
碳化硅是一种广泛用于制造半导体器件的材料,具有比传统硅更高的电子漂移率和热导率。这意味着碳化硅器件能够在更高的温度和电压下工作,同时保持稳定
发表于 04-16 11:54
•697次阅读
碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 (ZnO) 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏
发表于 03-08 08:37
碳化硅功率器件的基本原理、性能优势、应用领域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二极管(SiC Diode)、碳化硅晶体管(SiC Transistor)等。这些器件通过利用
发表于 02-29 14:23
•1575次阅读
简单认识碳化硅功率器件
随着能源危机和环境污染日益加剧,电力电子技术在能源转换、电机驱动、智能电网等领域的应用日益广泛。碳化硅(SiC)功率器件作为第三代半导体材料的代表,具有高温、高速、高效、高可靠性等优点,被誉为“未来电力电子的新星”。本文将详细介
碳化硅功率器件的应用与市场前景
碳化硅(SiC)作为一种宽禁带半导体材料,具有高击穿场强、高电子饱和漂移速率和高热导率等优异性能,使其在功率器件领域具有广泛的应用前景。本文将对碳化硅功率
碳化硅特色工艺模块简介
材料的生长和加工难度较大,其特色工艺模块的研究和应用成为了当前碳化硅产业发展的关键。 碳化硅特色工艺模块主要包括以下几个方面: 注入掺杂 在碳化硅中,碳硅键能较高,杂质原子难以在其中扩
碳化硅功率器件简介、优势和应用
碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子
碳化硅功率器件的基本原理、应用领域及发展前景
随着电力电子技术的不断发展,碳化硅(SiC)功率器件作为一种新型的半导体材料,逐渐在电力电子领域崭露头角。与传统的硅功率器件相比,碳化硅功率
碳化硅功率器件的原理和应用
随着科技的快速发展,碳化硅(SiC)功率器件作为一种先进的电力电子设备,已经广泛应用于能源转换、电机控制、电网保护等多个领域。本文将详细介绍碳化硅功率器件的原理、应用、
评论