防静电需求
目前的芯片工艺越来越精密,主IC都到纳米级别了,具有极薄光刻技术和极易受到ESD 影响的栅极氧化物的先进技术,所以IC的防静电能力主要是保护自身在生产运输和安装过程中不受损坏。
其次具有高元件密度的PCB 的集成电子板有助于ESD 耦合和传播,所以整机中ESD现象时常发生。
为什么IC制造商不愿意制造强大的嵌入式ESD保护二极管,因为它们需要大量先进且昂贵的技术的有效面积,防静电不同于别的芯片工艺,静电瞬间电流有数十安培,必须通过有效的芯片面积来防护,不是尖端工艺能解决的。
高速信号芯片防静电特点
ESD保护器件的寄生电容必须足够低,以允许高速信号传输而不会降级。
ESD保护器件的高寄生电容会增加过多的信号上升/下降时间并阻止通信,从而丢包。
下是以电容置于高速信号线对信号的影响图形。
很多人不清楚这个电容的换算,也可以参考下面的图片
如何保证线路上的寄生电容足够小,而且走线也不影响差分信号阻抗匹配?
首先要选择电容足够小的ESD器件,其次是要合理布线。
在尽可能情况下,选择DFN封装的ESD器件,如雷卯电子ULC0524P ULC0511CDN这类超低电容的器件。
如何看懂ESD器件参数?
一般入门级只要看懂动作电压Vbr,电容Cj,箝位电压Vc即可。
以下规格书为示例。
DFN封装技术越来越成熟,封装速度快,体积小,雷卯提供了越来越多的防静电DFN封装器件,DFN1006、DFN1610、DFN2020、DFN1616、DFN2010、 DFN2510、DFN3310 等,最多支持10路的高速信号静电保护。
获取更多教学知识
电路保护设计之于电子工程师,要做好到底有多难?
三大常见电路保护器件详解
原文标题:为什么高速信号ESD设置要flow-through
文章出处:【微信公众号:上海雷卯电子leiditech】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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