5.2.3 扩展缺陷对SiC器件性能的影响
5.2 SiC的扩展缺陷
第5章碳化硅的缺陷及表征技术
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
SiC
+关注
关注
29文章
2804浏览量
62605
发布评论请先 登录
相关推荐
碳化硅SiC在光电器件中的使用
。 高热导率 :SiC的热导率是Si的三倍以上,有助于器件的散热。 高电子饱和速度 :SiC的电子饱和速度高于Si,适合于高速电子器件。 化学稳定性 :
碳化硅SiC在电子器件中的应用
随着科技的不断进步,电子器件的性能要求也日益提高。传统的硅(Si)材料在某些应用中已经接近其物理极限,尤其是在高温、高压和高频领域。碳化硅(SiC)作为一种宽带隙(WBG)半导体材料,
碳化硅SiC材料应用 碳化硅SiC的优势与性能
碳化硅SiC材料应用 1. 半导体领域 碳化硅是制造高性能半导体器件的理想材料,尤其是在高频、高温、高压和高功率的应用中。
碳化硅功率器件的技术优势
随着电力电子技术的飞速发展,传统的硅基功率器件因其物理特性的限制,已经逐渐难以满足日益增长的高性能、高效率、高可靠性的应用需求。在这一背景下,碳化硅(
简单认识碳化硅功率器件
随着能源危机和环境污染日益加剧,电力电子技术在能源转换、电机驱动、智能电网等领域的应用日益广泛。碳化硅(SiC)功率器件作为第三代半导体材料的代表,具有高温、高速、高效、高可靠性等优点
碳化硅功率器件简介、优势和应用
碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用
评论