0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

功率半导体器件(IGBT、MOSFET和SiC)设计企业:上海陆芯获得第三代IGBT车规级AEC-Q101认证

深圳市致知行科技有限公司 2022-06-21 09:18 次阅读

3月11日,国际独立第三方检测检验和认证机构德国莱茵T V(以下简称“T V莱茵”)向上海陆芯电子科技有限公司(以下简称“上海陆芯”)的第三代IGBT 产品颁发了AEC-Q101认证证书。这是上海陆芯汽车级IGBT 产品在2019年后再次获得T V莱茵颁发的AEC-Q101认证证书。AEC-Q101认证是半导体分立器件的汽车级测试,包括各类环境应力,可靠性,耐久性,寿命测试等;通过了AEC-Q认证的器件,就是优异品质和高可靠性的保证;如果汽车级半导体企业想尽早进入汽车领域并且立足,AEC-Q101认证将会是首选。

ea8a6e9a-f0bb-11ec-a2f4-dac502259ad0.jpg            

出席本次由T V莱茵上海公司举办的颁证仪式的有:T V莱茵大中华区产品事业服务群副总裁夏波、销售总监徐澍、副总经理张春涛、零部件部门总经理施兵以及上海陆芯电子科技有限公司董事长兼总经理张杰博士、应用市场总监曾祥幼、研发经理潘晓伟等。

T V莱茵大中华区产品事业服务群副总裁夏波在颁证仪式上表示:祝贺上海陆芯再次获得T V莱茵颁发的汽车级IGBT的 AEC-Q101认证证书。AEC-Q作为汽车电子元器件的通用测试规范标准,已经得到全球各相关企业的高度认可,上海陆芯能够再次获得该证书,也同时证明上海陆芯一直在突破核心技术,保持行业的引领优势,不断地输出高集成、高能效、高敏捷度的优质产品,也进一步提升了上海陆芯在功率半导体行业的知名度和品牌价值。

eaaf32f2-f0bb-11ec-a2f4-dac502259ad0.jpg            

上海陆芯董事长兼总经理张杰博士在颁证仪式上表示:感谢T V莱茵在上海陆芯汽车级IGBT系列产品的 AEC-Q101 认证过程中付出的努力和支持。公司将加大业务拓展的力度,通过不同渠道和模式,逐步扩大产品市场应用范围,提前布局新能源IGBT产品并尽快投放市场,继续保持核心技术和产品的领先优势和持续竞争力,坚持产品创新,深化科技赋能,集中精力走技术创新、科技兴企的道路。期待今后能在更多领域与T V莱茵深入合作,让更多上海陆芯研发生产的产品走出国门,服务全球。

颁证仪式后,双方还就目前国内外新冠疫情带来的新挑战、新机遇,以及合作前景、行业发展趋势等话题展开了深入交流,之后上海陆芯一行还参观了T V莱茵的Smart lab智能实验室。本次颁证仪式既是对上海陆芯技术产品的肯定,也是对T V莱茵的服务认证的肯定,双方就未来愿景达成一致,希望将来能成为长期发展的合作伙伴。

eadcc53c-f0bb-11ec-a2f4-dac502259ad0.png            

关于上海陆芯

上海陆芯是专业从事最新一代功率半导体研发、生产和销售的高新技术企业。公司掌握核心技术、拥有国际一流的设计能力和工艺开发技术,汇集优秀海归人才和杰出本土团队。上海陆芯聚焦于功率半导体(IGBT, MOSFET, SiC等)的设计和应用,掌握创新型功率半导体核心技术,拥有自主知识产权和品牌,具有强劲的工艺开发技术和设计能力。

产品涵盖了多个电压段的功率器件,多个系列产品性能优异,有较高的可靠性和稳定性,广泛应用于新能源电动汽车、电机驱动、高频逆变、感应加热等领域,并提供整体的电源管理解决方案。目前累计拥有40多项自主创新专利。于 2019年获得上海市第一批国家级高新技术企业荣誉资质。

一直以来,上海陆芯秉承初心,通过核心技术和团队力量,不断开展科技创新,推动成果转化,努力打造成为功率半导体市场的领军企业。

eb11019e-f0bb-11ec-a2f4-dac502259ad0.png

eb36502a-f0bb-11ec-a2f4-dac502259ad0.png

eb485478-f0bb-11ec-a2f4-dac502259ad0.png

eb5d15c0-f0bb-11ec-a2f4-dac502259ad0.png

eb727870-f0bb-11ec-a2f4-dac502259ad0.jpg

eb9b2ad6-f0bb-11ec-a2f4-dac502259ad0.jpg

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    334

    文章

    27535

    浏览量

    220044
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    第三代半导体产业高速发展

    当前,第三代半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件产业高速发展。其中,新能源汽车市场的快速发展是
    的头像 发表于 12-16 14:19 301次阅读

    纳微半导体第三代快速碳化硅获AEC Q101认证

    纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)近日宣布推出符合认证的D2PAK-7L (TO-263-7)和标贴TOLL封装的第三代快速碳化硅
    的头像 发表于 10-10 17:08 433次阅读

    基本半导体碳化硅MOSFET通过AEC-Q101认证

    近日,基本半导体自主研发的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H顺利通过AEC-Q101可靠性
    的头像 发表于 09-13 10:20 623次阅读
    基本<b class='flag-5'>半导体</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>通过<b class='flag-5'>AEC-Q101</b><b class='flag-5'>车</b><b class='flag-5'>规</b><b class='flag-5'>级</b><b class='flag-5'>认证</b>

    基本半导体碳化硅MOSFET通过认证,为汽车电子注入新动力

    近日,中国半导体行业的佼佼者——基本半导体公司,再次在科技领域迈出坚实步伐。该公司自主研发的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120H成功通过了AEC-Q101
    的头像 发表于 06-26 17:58 923次阅读

    电子SiC MOSFET技术新突破,产品正式量产

    Ω SiC MOSFET产品(IV3Q12013T4Z)成功通过了可靠性(
    的头像 发表于 06-24 10:05 620次阅读

    电子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通过可靠性测试认证

    近日,上海电子科技股份有限公司(简称“瞻电子”)基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC
    的头像 发表于 06-24 09:13 843次阅读
    瞻<b class='flag-5'>芯</b>电子<b class='flag-5'>第三代</b>1200V 13.5mΩ <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>通过<b class='flag-5'>车</b><b class='flag-5'>规</b><b class='flag-5'>级</b>可靠性测试<b class='flag-5'>认证</b>

    半导体高性能MCU系列获AEC-Q100认证证书

    近日,半导体高性能MCU系列获得第三方权威检测机构-闳康技术检测(
    的头像 发表于 04-29 09:33 841次阅读
    <b class='flag-5'>芯</b>弦<b class='flag-5'>半导体</b>高性能<b class='flag-5'>车</b><b class='flag-5'>规</b>MCU系列获<b class='flag-5'>AEC-Q</b>100<b class='flag-5'>车</b><b class='flag-5'>规</b><b class='flag-5'>级</b><b class='flag-5'>认证</b>证书

    第三代SiC功率半导体动态可靠性测试系统介绍

    第三代SiC功率半导体动态可靠性测试系统KC-3105。该系统凭借高效精准、可灵活定制、实时保存测试结果并生成报告、安全防护等优秀性能。严格遵循《AQG 324机动车辆电力电子转换器单
    发表于 04-23 14:37 4次下载

    电子推出一款1200V SiC相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z

    近日,瞻电子正式推出一款1200V 碳化硅(SiC)相全桥塑封模块IVTM12080T
    的头像 发表于 04-07 11:37 1728次阅读
    瞻<b class='flag-5'>芯</b>电子推出一款<b class='flag-5'>车</b><b class='flag-5'>规</b><b class='flag-5'>级</b>1200V <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>三</b>相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z

    电子推出款第二650V SiC MOSFET产品

    电子近日宣布成功推出款第二650V SiC MOSFET产品,这些产品不仅通过了严格的
    的头像 发表于 03-13 09:24 989次阅读

    蓉矽半导体SiC MOSFET通过AEC-Q101考核和HV-H3TRB加严可靠性验证

    蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT顺利通过AEC-Q101
    的头像 发表于 03-12 17:18 1187次阅读
    蓉矽<b class='flag-5'>半导体</b><b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>通过<b class='flag-5'>AEC-Q101</b><b class='flag-5'>车</b><b class='flag-5'>规</b><b class='flag-5'>级</b>考核和HV-H3TRB加严可靠性验证

    电子第二650V SiC MOSFET产品通过可靠性认证

    近日,瞻电子宣布其研发的款第二650V SiC MOSFET产品成功通过了严格的AEC-Q101
    的头像 发表于 03-12 11:04 921次阅读

    电子开发的3款第二650V SiC MOSFET通过了可靠性认证

    3月8日,瞻电子开发的3款第二650V SiC MOSFET产品通过了严格的
    的头像 发表于 03-11 09:24 811次阅读
    瞻<b class='flag-5'>芯</b>电子开发的3款第二<b class='flag-5'>代</b>650V <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>通过了<b class='flag-5'>车</b><b class='flag-5'>规</b><b class='flag-5'>级</b>可靠性<b class='flag-5'>认证</b>

    推动SiCMOSFET国产化,华秋-电子发烧友获“塔电子”优秀媒体合作伙伴奖

    ΩTO-263-7封装SiC MOSFET器件成功获得第三方权威检测机构(广电计量)全套AEC-Q101
    发表于 01-19 14:55

    推动SiCMOSFET国产化,华秋获“塔电子”优秀媒体合作伙伴奖

    ΩTO-263-7封装SiC MOSFET器件成功获得第三方权威检测机构(广电计量)全套AEC-Q101
    发表于 01-19 14:53