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雷卯推荐TVS低漏流100uA,低电压3.3v,功率400W SMAJ3.3 SMBJ3.3

上海雷卯电子 2022-08-15 09:22 次阅读

雷卯推荐TVS低漏流100uA,低电压3.3v,功率400W

瞬态电压抑制二极管,简称TVS。当TVS两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以 10-¹² s的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压钳位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。

电子产品需要省电高效,就需要做低电压供电,比如3.3V、2.5V、1.8V。特别是电池供电的电子产品,电压低还不够,还需要低漏流。

雷卯适应市场推出各种低电压ESD和TVS。现在展示TVS:

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雷卯这款SMAJ3.3LIR,封装SMA,低漏流100uA,低电压3.3v,功率400W,适合高密度装配,有效的减少电路板的面积。

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低压降和低漏流的优势在于,更低的电源无效损耗,能提升电源的转化效率。

SMAJ3.3LIR可广泛应用于汽车电子智能照明、智能家居手机快充、消费类电子、开关电源变频器驱动器等电路。

雷卯SMAJ3.3LIR已经广泛用于汽车电子,有需求请联系我们!

TVS的选型技巧

TVS的Vrwm应高出10% 以上的被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和 “高端”容限。若选用的Vrwm太低,器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压,并行连接分电流。

TVS的Vc应小于被保护电路的损坏电压。
TVS的功率Ppp应大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。
TVS的Ipp应大于电路瞬态浪涌电流。

对于数据接口电路的防雷保护,建议选用低电容半导体ESD。

根据用途选用TVS的极性及封装结构。交流电路选用双极性TVS较为合理;多线保护选用半导体ESD阵列更为有利。

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