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国芯思辰|拍字节新型3D铁电存储器(VFRAM)PB85RS128C用于医用额温枪,写入周期达100万次

国芯思辰(深圳)科技有限公司 2022-09-23 10:54 次阅读

在额温枪开机运行的过程中,MCU运行的程序会根据用户的操作将一些重要的数据进行保存。即便是额温枪从关机到重新开机、电池没电等情况下,重要的数据也不会丢失。这些重要数据的存储任务,通常都是由可编程存储器来完成。

一般来说,额温枪的主控MCU不带可编程存储器,因此都需要外加。外加的存储器可以通过总线(I2C接口或SPI接口)和MCU进行通信和数据读写存储。

本文主要介绍拍字节新型3D铁电存储器(VFRAM)PB85RS128C,用于额温枪上的重要数据存储。该存储器可替换赛普拉斯FM25V01-G和富士通MB85RS128B,性能优越且交期短。

1、可靠性参数、低功耗

PB85RS128C具有2.7V到3.6V宽工作电压范围,对电压波动具有很强的适应性;工作温度范围-25°C到60°C,储存温度范围更宽-40°C ~125°C;正常工作模式功耗为5毫安,低功耗模式为10微安@待机。可以满足额温枪电池供电、工作温度范围和低功耗的应用要求。

2、高速读写、高耐久度

相当重要的一点是,PB85RS128C具有“高速数据擦写”、“高擦写耐久性”的特点(100万次写入周期、长达25年以上的数据保存时效),这对于额温枪来说非常重要,因为重要数据需要快速、频繁的写入到存储器中,甚至同一个地址的数据会反复的读写,这对存储器的写入次数都要求很高,而100万次写入周期和25年以上保存时效则能够有力保障数据的反复读写。

除上述优势以外,PB85RS128C采用SPI接口与MCU连接,具有防误写、写入保护等功能。其支持40MHZ高速读命令,这样的高速度可以保证数据很快被写入到存储器,对于关机前要存储数据的写入,可以缩短时间,提高可靠性。

image.php?url=YD_cnt_42_01F9LLmrSbCh

PB85RS128C SOP8封装实物图

注:如涉及作品版权问题,请联系删除。

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