纳芯微驱动芯片NSD1624，有效解决高压、高频系统中SW pin负压和高dv/dt！

NSD1624是纳芯微最新推出的非隔离高压半桥驱动芯片，驱动电流高达+4/-6A，可用于驱动MOSFET/IGBT等各种功率器件。

可广泛应用于

•光伏、储能等新能源领域

•空调压缩机、工业电机驱动

•高效高密度工业、通信、服务器电源

•半桥、全桥、LLC电源拓扑

如下图NSD1624功能框图所示，纳芯微创新地将隔离技术方案应用于高压半桥驱动中，使得高压输出侧可以承受高达1200V的直流电压，同时SW pin可以满足高dv/dt和耐负压尖峰的需求。可适用于各种高压半桥、全桥、LLC电源拓扑上。

NSD1624输入逻辑可兼容TTL/CMOS，方便控制。高压侧和低压侧均具备独立的供电欠压保护功能（UVLO），能在10~20V电压范围内工作。此外，NSD1624可提供SOP14，SOP8，LGA 4*4mm多种封装形式。

NSD1624功能框图

NSD1624简化应用电路

解决高压、高频系统中SW pin负压和高dv/dt的痛点

图一：半桥驱动IC典型应用电路图示

图二：Q1、Q2管子开关过程中，SW产生震荡和负压

上图一所示是半桥驱动IC非常典型的应用电路。在Q1、Q2管子开关过程中，SW 会产生一定程度的震荡，同时会有负压产生，如上图二所示。如果驱动IC SW pin 耐负压能力比较低，就会导致IC损坏。

SW pin 产生震荡和负压的原因是：当上管关闭时，由于负载呈感性，电流不能突变，电流便会从GND 通过下管的体二极管进行续流，如图一的红色箭头方向所示。在真实电路中，该电流路径上许多地方会存在寄生电感，如图一的绿色电感。

SW 的电压 Usw=-Lss * (di/dt)，通过公式可以看出，续流电流通过路径中的寄生电感，会在SW上产生负压。如果负载电流越大，开关频率越高，即di/dt 大，同时电路中寄生电感越大，即Lss 值越大，则SW产生的震荡和负压就会越大，就会越容易损坏驱动IC。

此外，开关频率越大，SW产生的dv/dt就越大。如果选择的驱动IC dv/dt 抗干扰能力不足，便会导致驱动IC内部逻辑错误，可能会使得驱动IC的HO 和 LO同时输出高电平，使得上下管同时打开，造成短路，甚至烧坏管子。

纳芯微创新地将隔离技术方案应用于NSD1624 高压半桥IC中，很好解决了上述问题，即：SW pin负压和高dv/dt的痛点。该创新技术，使得NSD1624 SW pin 电压能够承受高达±1200V，可以承受非常高的负压；同时dV/dt抗干扰能力超过100kv/us。因而 NSD1624 非常适合高频、高压、高可靠性的应用场景，符合电源行业发展的趋势。

产品特性

•高压侧电压范围：1200V (SOP14封装)；700V (SOP8 / LGA10 封装)

•SW pin耐压：±1200V (SOP14封装)；±700V (SOP8 / LGA10 封装)

•高压侧dV/dt抗干扰能力：100kv/us

•驱动电流能力：+4/-6A

•VDD最大耐压值：24V

•两通道都具备欠压保护

•典型传播延时：22ns

•最大延时匹配：7ns

•工作环境温度：-40℃ ~ 125℃

•符合 RoHS 标准的封装类型：SOP8/SOP14/LGA10