碳化硅晶圆划切方案集合
碳化硅硬度高，耐磨性好，碳化硅晶片硬度大，莫氏硬度分布在 9.2～9.6之间，化学稳定性高，几乎不与任何强酸或强碱发生反应，切割划片很有难度。
深圳西斯特科技在碳化硅晶圆切割方面积累了丰富的经验，现将部分案例整理如下，供各位朋友参考。更多方案细节欢迎来电来函咨询。
划切案例一
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材料情况
晶圆规格 | 6寸 |
晶圆厚度 | 0.175mm |
划片槽宽度 | 100um |
Die size | 3.0*2.54mm |
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工艺参数
设备型号 | TSK-S20 |
主轴转速 | 35000rpm |
进刀速度 | 0.8mm/s |
刀片高度 | 0.15/0.05mm |
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切割方案
推荐刀片 | SST 2000-R-70-ECB |
切割模式 | 单刀切断 |
品质标准 | 正面离保护线＞10um 背面<50um 侧崩＜芯片厚度1/4 |
其他 | 先激光开槽 |
►
划切效果
划切案例二
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材料情况
晶圆规格 | 4寸 |
晶圆厚度 | 0.38mm |
划片槽宽度 | 80um |
Die size | 4.3*4.3mm |
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工艺参数
设备型号 | DISCO 6340 |
主轴转速 | 35000rpm |
进刀速度 | 3mm/s |
刀片高度 | 0.28/0.05mm |
►
切割方案
推荐刀片 | SST 3000-R-70 DCB |
切割模式 | Step |
品质标准 | 正面离保护线10um 背崩<40um |
其他 | SD3500-N1-50 CD先开槽 |
►
划切效果
划切案例三
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材料情况
晶圆规格 | 8寸 |
晶圆厚度 | 0.2mm |
划片槽宽度 | 100um |
Die size | 5.37*4.46mm |
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工艺参数
设备型号 | DISCO 6362 |
主轴转速 | 45000/35000rpm |
进刀速度 | 2mm/s |
刀片高度 | 0.2/0.05mm |
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切割方案
推荐刀片 | 3500-R-70 CCG 2000-R-50 EGF |
切割模式 | Step |
品质标准 | 正面离保护线20um 背崩<50um |
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划切效果
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