0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

SRAM使用总结

鸿汉禹网络科技 2023-04-06 15:13 次阅读

SRAM可以分为低速、中速、高速。

===========================================================

16位宽的SRAM

// 16BITSRAM 指针

PUINT16V pXbusPt2; // 写指针

PUINT16V rXbusPt2; // 读指针

PUINT16V tmpXbusPt2 = (PUINT16V)0x00C00000;

UINT16 temp = 0;


for(i = 0; i < 8196; i+=2){

temp = (UINT16) (bakRecvBuf[i] << 8) | (UINT16) (bakRecvBuf[i+1] );

*pXbusPt2 = temp;

pXbusPt2++;

}

memset(bakSendBuf,0,sizeof(bakSendBuf));

for(i = 0; i < 8196; i+=2){

temp = *tmpXbusPt2;

bakSendBuf[i] = (unsigned char)(temp>>8);

bakSendBuf[i+1] = (unsigned char)(temp);

tmpXbusPt2++;

}

===========================================================

8BIT位宽

/*外部SRAM地址指针*/

PUINT8V pXbusPt; // 写指针

PUINT8V rXbusPt; // 读指针

PUINT8V tmpXbusPt = ( PUINT8V )0x00C00000;

for(i = 0; i < 8196; i++){

*pXbusPt = bakRecvBuf[i];

pXbusPt++;

}


for(i = 0; i < 8196; i++){

bakSendBuf[i] = *tmpXbusPt;

tmpXbusPt++;

}

===========================================================

DMA的方式可以访问到外部SRAM吗?

stm32F10x 不可以

stm32F40x可以,用FSMC。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • sram
    +关注

    关注

    6

    文章

    765

    浏览量

    114648
  • 指针
    +关注

    关注

    1

    文章

    480

    浏览量

    70519
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    SRAM和DRAM有什么区别

    静态随机存储器(Static Random Access Memory,简称SRAM)和动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory,简称DRAM)是两种不同类
    的头像 发表于 09-26 16:35 1493次阅读

    SRAM中的错误检测

    电子发烧友网站提供《SRAM中的错误检测.pdf》资料免费下载
    发表于 09-20 11:15 0次下载
    <b class='flag-5'>SRAM</b>中的错误检测

    请问如何使用片外SRAM

    Hi , 在项目中,我们需要增加片外SRAM,型号是IS62WVS5128GALL 大小是512kb,请问你们是否支持此IC,能否提供驱动或者demo?
    发表于 06-25 08:01

    论基于电压域的SRAM存内计算技术的崭新前景

    这篇文章总结了冯·诺伊曼架构及其在处理数据密集型应用中所面临的性能和能耗问题。为了应对这一挑战,文章介绍了存内计算技术,其中重点讨论了基于电压域的SRAM存内计算技术。 在冯·诺伊曼架构中
    的头像 发表于 05-17 14:38 941次阅读
    论基于电压域的<b class='flag-5'>SRAM</b>存内计算技术的崭新前景

    Microchip推出容量更大、速度更快的串行SRAM产品线

    为满足客户对更大更快的SRAM的普遍需求,MicrochipTechnology(微芯科技公司)扩展了旗下串行SRAM产品线,容量最高可达4Mb,并将串行外设接口/串行四通道输入/输出接口(SPI
    的头像 发表于 04-12 08:23 383次阅读
    Microchip推出容量更大、速度更快的串行<b class='flag-5'>SRAM</b>产品线

    先进工艺下的SRAM功耗和性能挑战

    随着AI设计对内部存储器访问的要求越来越高,SRAM在工艺节点迁移中进一步增加功耗已成为一个的问题。
    发表于 04-09 10:17 1052次阅读

    Microchip推出容量更大、速度更快的串行 SRAM产品线

    该产品线提供了并行SRAM的低成本替代方案,容量高达 4 Mb,具有143 MHz SPI/SQI™ 通信功能   为满足客户对更大更快的 SRAM 的普遍需求,Microchip
    发表于 04-03 15:24 1168次阅读

    SRAM如何克服其扩展问题?有哪些方法呢?

    在高级节点使用 SRAM 需要新的方法。
    的头像 发表于 02-25 10:05 864次阅读
    <b class='flag-5'>SRAM</b>如何克服其扩展问题?有哪些方法呢?

    GD32F4的TCMSRAM(紧耦合SRAM)该如何使用?

    如下图所示,GD32F4系列内部SRAM分为通用SRAM空间和TCMSRAM空间,其中通用SRAM为从0x20000000开始的空间,TCMSRAM为从0x10000000开始的64KB空间。大家
    的头像 发表于 02-24 09:43 1783次阅读
    GD32F4的TCMSRAM(紧耦合<b class='flag-5'>SRAM</b>)该如何使用?

    SRAM CLA和SRAM有什么区别

    每个SRAM单元的核心由两个CMOS反相器构成,这两个反相器相互连接,每个反相器的输出电位被用作另一个反相器的输入。这种结构使得每个SRAM单元都可以保存一个二进制位(0或1),直到它被新的数据覆盖。
    的头像 发表于 02-19 11:02 925次阅读
    <b class='flag-5'>SRAM</b> CLA和<b class='flag-5'>SRAM</b>有什么区别

    赛普拉斯的NV-SRAM接口解决方案

    赛普拉斯的NV-SRAM将标准快速SRAM单元(访问时间高达20 ns)与基于硅氧化物和亚硝酸盐,氧化物硅(SONOS)的非易失性存储元件相结合,可提供快速的异步读写访问速度,并在其整个工作范围内具有20年的数据保留。
    的头像 发表于 01-09 10:54 564次阅读
    赛普拉斯的NV-<b class='flag-5'>SRAM</b>接口解决方案

    SRAM存算一体芯片的研究现状和发展趋势

    其在兼容性、鲁棒性、灵活性等方面的优势,已经得到多个旗舰公司的认可和相关领域的产业布局。本文回顾SRAM存算一体芯片领域近年来的研究现状和发展趋势,分析并总结了该领域未来的研究需求,凝练关键科学问题并进一步探讨前沿研究方向。
    的头像 发表于 01-02 11:02 2346次阅读
    <b class='flag-5'>SRAM</b>存算一体芯片的研究现状和发展趋势

    sram读写电路设计

    SRAM (Static Random Access Memory)是一种高速、随机访问的存储器,它以其快速的读写操作和不需要刷新的特点而受到广泛使用。本文将详细介绍SRAM的读写电路设计,从
    的头像 发表于 12-18 11:22 2166次阅读

    关于AI和SRAM的不确定未来思考

    西门子 EDA的内存技术专家Jongsin Yun说, SRAM 的微缩滞后于逻辑收缩,主要是由于最新技术中严格的设计规则。过去,我们对 SRAM 有单独的设计规则,这使我们能够比基于逻辑晶体管
    发表于 12-15 09:43 475次阅读

    关于静态存储器SRAM的简单介绍

    SRAM是采用CMOS工艺的内存。自CMOS发展早期以来,SRAM一直是开发和转移到任何新式CMOS工艺制造的技术驱动力。
    的头像 发表于 12-06 11:15 1673次阅读