0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

MOS管,IGBT散热中丝印导热硅脂的成本估算

灏通电子导热材料 2023-05-07 13:22 次阅读

目前在新能源行业,特别是新能源汽车,以及光伏逆变器中大量使用MOS管,IGBT等大功率元器件,这些器件的散热设计中都用到了高绝缘,高导热的陶瓷基板。陶瓷基板因为硬度高,所以与功率元器件和散热器之间都存在间隙,这样就在热量流通过程中形成了比较大的热阻。

在陶瓷基板的两面丝印导热硅脂以降低接触面的热阻,达到更好的散热效果。丝印或涂刷导热硅脂目前成为很多生产经理头疼的问题,操作复杂,材料浪费严重,其直接成本与隐形成本很多厂商并没有统一的核算过。以下就材料成本和人工成本简单估算:

1,材料成本。主要是导热硅脂成本与陶瓷基板成本(以陶瓷基板尺寸40*26mm为例)。

1.1 导热硅脂成本。导热硅脂原材料价格800-2000元/公斤不等,我们参考1000元/公斤核算。

(60目丝网预计涂抹厚度在0.135-.0145毫米,80目丝网预计涂抹厚度在0.12-0.15毫米,110目丝网预计涂抹厚度在0.09-0.1毫米;)

我们这里选取60目与80目丝印方式,因为丝印厚度与导热硅脂的黏度以及丝印方式有很大关系,所以我们取0.12mm与0.15mm为基本丝印厚度估算:

丝印导热硅脂成本估算表

丝网目数

丝印厚度(mm)

丝印陶瓷基板mm

硅脂用量(cm3)

估算丝印量(个)

导热硅脂成本

60目

0.135

40*26

0.140

650

1.54

80目

0.150

40*26

0.156

600

1.67

通过以上估算陶瓷基板两面丝印导热硅脂的成本约在1.60/个左右。

1.2 陶瓷基板的成本约在0.5-0.6/个。

如上,我们可以估算出材料成本约在2.1-2.2/个左右。且不算丝印过程中导热硅脂的浪费。

2,加工成本。也就是人工成本,这一块是确实存在的,但不在BOM表里面体现,而且不同区域的人工成本有不同,所以难以形成统一的认知,我们称为半隐形成本。之前有逆变器商家依据自身情况估算过是0.5/个,仅供参考。

3,其他隐形成本,如丝印设计,丝印设备,丝印辅料,丝印效率等。

综上,我们得出的结论是,在40*26mm的陶瓷基板上丝印导热硅脂的综合成本在2.5-2.7/个。

E-PAD300即拿即用的特点,可以帮助客户节约掉所有的隐形成本,同时可以节约加工成本,提高生产效率。自然正成为大功率器件散热的最佳选择方案。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOS管
    +关注

    关注

    108

    文章

    2393

    浏览量

    66572
  • IGBT
    +关注

    关注

    1265

    文章

    3761

    浏览量

    248279
  • 导热材料
    +关注

    关注

    1

    文章

    163

    浏览量

    10477
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    如何优化MOS散热设计

    1. 引言 MOS作为电子电路中的核心组件,其性能直接影响整个系统的工作状态。在高功率或高频工作条件下,MOS会产生大量热量,若散热不及
    的头像 发表于 11-05 14:05 325次阅读

    导热界面材料对降低接触热阻的影响分析

    的发热元件,分别涂抹导热和未涂抹导热,然后将其与散热
    发表于 11-04 13:34

    TPA3110D2的散热盘是否一定要接地通过大电流?

    我使用TPA3110D2。因为芯片中间的大散热盘需要及时散热,我涂了层导热导热
    发表于 11-04 07:31

    手机散热器拆解

    看到已经干燥固化,我们待会给它重新涂抹一层。然后把散热器的上盖拆开,里面是风扇,风扇周围设有散热格栅。侧面是充电口及电路板。风扇固定在背板上,和制冷片由电路板连接,风扇的背板和制冷
    发表于 09-25 15:46

    导热对CPU散热性能影响大吗?

    CPU不涂CPU与散热器之间的缝隙有空气,导热效率无法达到应有的效率,CPU相比涂了导热膏的工作温度会更高。当超过一定温度,CPU可能自
    的头像 发表于 09-24 15:40 516次阅读

    IGBT主动散热和被动散热 | 氮化硼高导热绝缘片

    摘要:随着绝缘栅双极晶体IGBT)向高功率和高集成度方向发展,在结构和性能上有很大的改进,热产生问题日益突出,对散热的要求越来越高,IGBT芯片是产生热量的核心功能器件,但热量的积
    的头像 发表于 09-15 08:03 570次阅读
    <b class='flag-5'>IGBT</b>主动<b class='flag-5'>散热</b>和被动<b class='flag-5'>散热</b> | 氮化硼高<b class='flag-5'>导热</b>绝缘片

    散热第一步是导热

    , 在此项目中,MOS金属面涂抹导热,与散热器接触,用螺丝锁附,如下图所示,
    发表于 08-06 08:52

    MOSIGBT的辨别

    MOS(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体)和IGBT(Insulated Gate B
    的头像 发表于 07-26 18:07 1989次阅读

    MOSIGBT的结构区别

    MOSIGBT是现代电子技术中两种非常重要的半导体器件,它们在电力电子、能量转换、汽车电子等多个领域有着广泛的应用。尽管它们都是半导体开关器件,但它们的结构特点、工作原理及应用场景存在显著差异
    的头像 发表于 06-09 14:24 794次阅读
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>和<b class='flag-5'>IGBT</b>的结构区别

    芯片GPU功率器件低热阻低渗油导热

    导热作为一种散热材料,在电子设备和其他应用中发挥着重要的作用。主要起到以下几个方面的功能:1、传导热量:
    的头像 发表于 05-20 08:10 444次阅读
    芯片GPU功率器件低热阻低渗油<b class='flag-5'>导热</b><b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>脂</b>

    IGBTMOS的区别

    在电力电子领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体)和MOS(金属氧化物半导体场效应晶体)是两种非常重要的功率半导体器件。它们各自具有独特的工
    的头像 发表于 05-12 17:11 2552次阅读

    MOS发热的五大关键技术

    设计: MOS在工作过程中会产生较大的热量,因此良好的导热设计是关键。通过合理设计散热片、散热器或
    的头像 发表于 03-19 13:28 660次阅读

    AMD锐龙8000G系列台式处理器首测:导热,无需独显畅游

    相比于焊接技术,使用导热系数较低的作为散热媒介虽然有助于降低制造成本,但易导致热量积聚,热量散失效果不佳。尤其需要注意的是,英特尔的“
    的头像 发表于 02-03 16:08 1176次阅读

    igbtmos怎么区分 igbtmos能互换吗

    igbtmos怎么区分 IGBTMOS是两种不同类型的半导体器件,用途广泛,在各种电子设
    的头像 发表于 12-19 09:25 1.2w次阅读

    igbtmos的区别

    igbtmos的区别  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)和MOS
    的头像 发表于 12-07 17:19 1825次阅读