数据记录应用STT-MRAM芯片S3R1016
Netsol的ParallelSTT-MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要快速存储和搜索数据和程序的应用程序来说，这是最理想的内存。可替代NORFlash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
Netsol代理英尚微提供的S3R1016是容量为1Mbit的自旋转移力矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）。数据始终是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，有助于简化系统设计。是一个具有并行异步接口的完全随机存取存储器。支持x16或x8I/O模式。x16I/O模式允许通过数据字节控制（LB、UB）访问低位和高位字节。支持异步页面模式功能，以提高读写性能。x16I/O模式和x8I/O模式的页面大小分别为4个字和8个字。
在数据记录应用中，数据记录是如下持续、反复地将重要数据保存于设备的过程。可以记录系统内外部发生的事件；使用历史；环境参数 ；机器状态；用于分析目的的其他数据。因需要持续、反复地保存数据，内存需要快速的写入速度与高耐久性。
审核编辑黄宇
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
芯片
+关注
关注
452文章
50117浏览量
420325 -
存储器
+关注
关注
38文章
7413浏览量
163466 -
MRAM
+关注
关注
1文章
234浏览量
31681
发布评论请先 登录
相关推荐
车载微星导航芯片：AT6558R数据手册解读
、GPSL1、GLONASSL1。数据通道共用LNA/RFA和PLL，支持多种参考频率。集成有源天线检测电路，集成时钟倍频电路，ADC采样频率可配置。
关于AT6558R芯片参考设计方案（内核LDO由片上
发表于 07-05 17:36
ESP32-S3R8V sdmmc初始化失败的原因？
初始化时报错：sdmmc_common: sdmmc_init_ocr: send_op_cond (1) returned 0x107
将芯片更换成ESP32-S3R8后，使用同样的软件，TF卡，初始化正常。
请问R8V需要额
发表于 06-18 06:30
请问esp32s3如何保存突然停电时的数据？
？
断电时，串口处会打印欠压相关提示，请问IDF中有没有提供相应的接口或回调，可以处理这种突然断电的情况？
使用的ESP-IDF为5.1.1，芯片为ESP32s3R2.
发表于 06-06 07:38
esp32s3 R8芯片过热的原因？怎么解决？
请教一下esp32s3 R8 芯片 启用蓝牙mesh以后电流增大约50mA内部温度读数增大约40°板子装在外壳里面 很容易发生过热现象求问下在软件配置上能有什么补救的办法吗
发表于 06-05 06:43
MCU制程工艺迈进28nm时代，汽车行业的创新之路
瑞萨日前宣布，公司已基于STT-MRAM的电路技术开发出具有快速读写能力的测试芯片。该MCU 测试芯片采用 22 纳米工艺制造，包括一个 10.8Mbit嵌入式 MRAM 存储单元阵列
发表于 03-05 10:05
•1889次阅读
瑞萨电子宣布已开发具有快速读写操作的测试芯片MRAM
瑞萨电子公司日前宣布，该公司已开发出用于嵌入式自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)的电路技术，以下简称MRAM）具有快速读写操作的测试芯片。
台积电引领新兴存储技术潮流，功耗仅为同类技术的1%
MRAM的基本结构是磁性隧道结，研发难度高，目前主要分为两大类：传统MRAM和STT-MRAM，前者以磁场驱动，后者则采用自旋极化电流驱动。
发表于 01-22 10:50
•411次阅读
台积电开发出SOT-MRAM阵列芯片
据报道，全球领先的半导体制造公司台积电在次世代MRAM存储器相关技术方面取得了重大进展。该公司成功开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，并搭配创新的运算架构，使其功耗仅为其他类似技术的1%。
台积电和ITRI成功研发SOT-MRAM，功耗仅为STT-MRAM的百分之一
鉴于AI、5G新时代的到来以及自动驾驶、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用对更高效率、稳定性和更低功耗的内存的需求愈发紧迫，如磁阻式随机存取内存（MRAM）这样的新一代内存技术已成为众多厂商争相研发的重点。
DshanMCU-R128s2 R128 模组
DACLINEOUTLP/NLINEOUTRP/N R128-S3-ND128R32 R128-S3 Arm Cortex-M33 C906 RISC-V HIFI5 DSP 1MByte
DshanMCU-R128s2芯片参数
MB LS PSRAM R128 S2)/8 channels (R128 S3) - One LEDC used to control the external intellige
RAM和NAND再遇强敌， MRAM被大厂看好的未来之星
目前三星仍然是全球专利第一，2002年三星宣布研发MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年间，三星对MRAM的研发一直不温不火，成本和工艺的限制，让三星的MRAM
发表于 11-22 14:43
•486次阅读
混合NVM/DRAM平台上的内存带宽调节策略
随着相变存储器 (PCM)、STT-MRAM、忆阻器和英特尔的 3D-XPoint 等技术的快速发展，高速的、可字节寻址的新兴 NVM 的产品逐渐涌现于市场中
工商网监
评论