一，LVDS逻辑电平

LVDS ：低电压差分信号（Low-Voltage Differential Signaling）是美国国家半导体（National Semiconductor, NS）于1994年提出的一种信号传输模式的电平标准，它采用极低的电压摆幅高速差动传输数据（采用CMOS 工艺的低电压差分信号器件），实现点对点（或则点对多：M-LVDS）的连接，具有低功耗、低误码率、低串扰和低辐射等优点，已经被广泛应用于串行高速数据通讯场合当，如高速背板、电缆和板到板数据传输与时钟分配，以及PCB内的通信链路。

LVDS 器件的传输机制是把 TTL 逻辑电平转换成低电压差分信号，以便于高速传输。与传统的 ECL逻辑相比，它采用 CMOS 工艺，其电压摆幅更低（LVDS只有 400mV，ECL 为 800mv），动态功耗更小（输出电流 3~~5mA，只有 ECL 电路的 1/7），低 EMI，价格更低，因而在中等频率（几百M~~几GHz）差分信号应用上具有较大的优势。

——LVDS技术规范有两个标准，即TIA（电讯工业联盟）/EIA（电子工业联盟）的ANSI/TIA/EIA-644标准（LVDS也称为RS-644接口）与IEEE 1596.3标准。

1，LVDS基本电路结构

如下图所示为典型的基本LVDS电路，采用一对差分信号线传输数据；通过驱动3.5mA的稳定电流源，以350mV低振幅（100Ω终端匹配）的差动信号来高速传送数据。其数据传输速度在规格内限定最大为655Mbit/秒，但这并不是极限值。通过各半导体厂商改进，可以实现3Gbit/秒左右的高速传输速度。

LVDS的输出端驱动是一个3.5mA的电流源，并由两组MOS管（4个）组成一对发送输出；
当A+导通，B-断开时：

1, 电流从右上角Q2（A+ MOS管）驱动出到蓝色传输线，即右上A+ MOS管电流方向是：电流源（Driver）à右上A+ MOS管à蓝色传输线à100Ω终端电阻；

2, 左下角Q3（A+ MOS管）驱动接至GND，所以此时电流从绿色传输线通过左下角Q3流出到GND；左下A+ MOS管电流方向是：GNDà左下A+ MOS管à绿色传输线à100Ω终端电阻；

3, 整个电流通路最终电流在100Ω终端电阻侧导通，并形成输出电压：3.5mA *100Ω = 350mV。

——因为传输线提供的100Ω阻抗是交流阻抗（只在信号边沿有用的阻抗，忘记的胖友们务必复习《从电感、电容到理想传输线》相关章节），对于直流来说是传输线是高阻抗，所以终端必须有100Ω端接电阻来提供信号固定电平状态下的回流，以保证输出电压；

——需要再次强调的是：3.5mA****电流从电源源流出到蓝色传输线，和绿色传输线3.5mA 电流流入GND ，这两者同时发生的，才能保证信号边沿的同步 ；驱动电流的路径 并非是 ：电流源àQ2à蓝色传输线à100Ω终端电阻à绿色传输线àQ3àGND（有点违反直觉哈，胖友们务必回顾“传输线”相关理论）。

当B-导通，A+断开时：

1, 此时3.5mA驱动电流从左上角Q1（B- MOS管）流出，并流入绿色传输线；

2, 同时蓝色传输线电流流入右下角Q4（B- MOS管）；

——具体电流传输的方向，如上。

3, 电流通路最终电流还是在100Ω终端电阻侧导通，但是电流方向与“A+导通，B-断开”相反，并形成反向的输出电压：-3.5mA *100Ω = -350mV。

最终在输出端形成 +350mV和-350mV信号摆幅的差分输出。

——在一本非常优秀的“信号完整性”相关书籍中，作者认为LVDS是伪差分线，因为从LVDS驱动机制来说，它只需要驱动3.5mA电流流过终端100Ω电阻形成的压差来实现，似乎并不需要一定是对耦差分线；但通过上述两条传输线的电流路径分析，我觉得LVDS应该是真正的对耦差分线。

2，LVDS电平分析

LVDS的差分信号的两根差分信号线：正电极信号（A+）和负电极信号（B−）；共模偏置电压为：1.2V，差模电压摆幅是：350mV。如果我们用示波器来测试信号波形，并对两个信号电压值取差：（A+）−（B−）；那么我们可以得到差分摆幅为：-350mV和+350mV。具体波形如下图所示。

上述波形是理想的情况，如下所示为器件资料（Intel® Stratix® 10 Device）中关于LVDS相关参数的描述；其输出共模电压（VOCM）和差模电压（VOD）的具体规格如下蓝色框内所示；如果要正确接收其它器件发送过来的信号，必须满足红色框内关于输入共模电压（VICM(DC)）和差模电压（VID）的参数要求。

3，LVDS电平特点

LVDS 的特点是电流驱动模式，低电压摆幅 350mV 可以提供更高的信号传输速率，使用差分传输的方式可以减小信号和噪声的EMI辐射：

输出电平切换不需要设计类似TTL/CMOS的“死区时间”，可以支持更高速率；

——由于是电流驱动，所以不需要防备电压源直接接地的风险。

低输出电压摆幅（350mV）)：

1, 可以支持更高速率（1Gbps以上），具体支持速率对比如左下图所示；

2, 功耗消耗更低（如右下图所示），内部散热更小，有助于提供芯片集成度。

低EMI电磁辐射：

1, 低的信号边缘变化率：dV/dt = 0.350V/0.5ns = 0.7V/ns；

——如下图所示，虽然速率高（ps级别），但是由于摆渡小所以边沿变化率要求不高。

2, 耦合差分信号线的电磁干扰相互抵销，对外辐射小；

3, 耦合差分信号线抗电磁干扰性强。

允许输入的共模电压范围大，支持1V的共模偏置电压差（如上图所示）；
传输线匹配简单。

——无论是使用电缆还是PCB走线，LVDS的高速信号传输都必须考虑阻抗匹配问题：阻抗不连续或终端不匹配会影响传输信号；所以需要控制传输线阻抗，并保证合适的端接。

1, 对于点到点的链路（LVDS），如下图所示，只需要使用100Ω端接在距离驱动器最远处；

——如果输出端和输入端共模偏置电压不匹配（或考虑上电时序的漏电影响），则需串接100nF电容器进行AC耦合，AC耦合电容器对信号传输影响不大（相当于短路，胖友们可以动手算一算：100nF电容器在100MHz频率时的阻抗是多少~）。

2, 对于多分支总线（M-LVDS），如果驱动器在总线的一端，则可采用相同的端接方法（即，在距离驱动器最远端端接100Ω电阻，如下图所示）；否则需要端接总线的两端。

——M-LVDS可以实现点对多，而且长距离的传输（如下左图所示），与RS-485总线的应用有明显重叠；两者参数对比如下右图所示，有兴趣的胖友可以自行学习；本章不对M-LVDS和RS-485展开分析。

3, 如下图所示，还有一种多点拓扑是：“半双工”拓扑；它由两个驱动/接收对组成，在单个互连上传输和接收两个点之间的信号。

4，LVDS电路设计

对于LVDS PCB的设计来说，不论LVDS信号对数量是多少，都建议使用多层板，最少四层设置： LVDS、GROUND、POWER、TTL。

对 LVDS 信号和其它信号（举个栗子，TTL 信号；避免受到干扰），最好能使用不同的走线层，如果因为设计限制必须使用同一层走线，LVDS 和 TTL 的距离应该足够远，至少应该大于 3~5 倍差分线间距；
保证收发器到接插件的距离足够短，防止由于 Stub 线过长引起信号的崎变，一般要求距离小于 10mm；
对收发器的电源使用滤波电容，滤波电容的位置应该尽量靠近电源和地管脚，滤波电容其的容值参照器件手册；

——如果没有推荐滤波电容器值，那么可以按照1个uF级电容（举个栗子：10uF）+每个管脚1个100nF电容的经验值进行设计。

对电源和地管脚与参考平面的连接应该使用短和粗的连线连接，同时使用多点连接；

——参考《电源完整性》相关章节，主要为了减小寄生电感。

对走线的阻抗要求进行控制，一般差分阻抗控制在 100 欧姆；

——匹配电阻的阻值可以进行调整，根据差分线阻抗和输出差模电压范围来决定。

对走线方式的选择没有限制，微带线和带状线均可，但是必须注意有良好的参考平面。对不同差分线之间的间距要求间隔不能太小，至少应该大于 3~5 倍差分线间距；
对接收端的匹配电阻到接收管脚的距离要尽量的靠近（一般小于 7mm，最大不能超过 12mm）；未使用的输入管脚可以悬空，如下图所示；

LVDS 在电缆中的使用同在 PCB 中的使用方式并无大的差别，需要注意在不同电缆中 LVDS 差分信号需要不同的排布方式，如下图所示；

——电缆本身的插损需要满足支持该频率高速信号传输，举个栗子：屏蔽双绞线比较适合作为 LVDS 传输的介质，CAT3 电缆可以传输 5m，CAT5 电缆可以传输更远距离的 LVDS 信号。

二，CML逻辑电平

CML：电流模式逻辑（即Current Mode Logic），电路主要靠电流驱动，也是所有高速数据接口形式中最简单的一种，它的输入与输出的匹配集成在芯片内部，基本不需要外部端接，从而使单板硬件设计更简单、更简洁。由于CML电路内部三极管同ECL一样工作在非饱和状态，逻辑翻转速率极高，相比于LVDS要快很多；所以CML电平一般被用于高速SerDes链路（举个栗子：光模块接口SerDes总线）。

从标准规范来说，CML电平也没有统一的国际标准。

——ECL，CML都没有统一的国际标准，只有LVDS有国际标准，所以电平互连上需要特别注意检查是否匹配。

1，CML基本电路结构

CML电路如下图所示分为：本级输入和本级输出两部分；

输入电路是一对射极跟随器后跟一个差分放大器：射极跟随器起到隔离，增加驱动能力的作用，上拉的50Ω电阻是为了保证与前级输出电路形成阻抗匹配；
当输入为高电平时，即T3管为N端，T4管为P端，当P大于N时即输入为高电平：当接收为高电平时T5导通、T6截止，16mA电流均从T5流过，此时CML输出为低电平；

——当输入为低时情况类似，所以CML输入输出存在倒相的关系。

输出电路是一个差分对，如上图“本级输出”所示：该差分对的集电极电阻为50Ω，输出信号的高低电平切换是通过共发射极差分对的开关控制的，差分对的发射极到地的恒流源典型值为16mA；

1, 当CML输出直流耦合至50Ω上拉电阻负载时（如下左图R1、R3和R2、R4同时上拉50Ω），所以输出端差分对中的三极管T1和T2同时只能导通一个；

（1）首先进行静态分析：由于T1、T2参数对称，故16mA电流平均流过T1、T2，每个管流过8mA的电流，分到R1~R4四个电阻上，每个电阻流过的电流为4mA，所以直流耦合时的共模电压为：Vc = Vcc – 4mA*50Ω = Vcc -0.2V；

（2）当有差模电压输入时：T1、T2只会导通一个（以T1导通为例），16mA电流由R1、R3一起提供，每个电阻提供8mA电流，因此单端摆幅为：Vswing = 8mA * 50Ω = 0.4V；

——当负载为50Ω上拉电阻时，输出信号线上总共上拉电阻为50Ω//50Ω = 25Ω，所以计算导通三极管的集电极电阻上的压降为：16mA*25Ω = 0.4V。

（3）如上可知共模电压为：Vcc-0.2V，而差模电压为：0.4V，所以CML单端输出信号为以Vcc-0.2V为中心，摆幅为0.4V的信号，即单端信号摆幅为：Vcc~(Vcc-0.4V)，其输出波形如下左图所示；

——在这种情况下差分输出信号摆幅为800mV：差分电压分别为-400mV和+400mV，摆幅为它们之和。

2, 当CML输出交流耦合至50Ω上拉电阻负载时（如下左图R1、R3和R2、R4同时上拉50Ω），所以同样输出端差分对中的三极管T1和T2同时只能导通一个；

（1）首先进行静态分析：由于电容器的隔直作用，R3和R4不能向T1、T2提供直流电流，因此16mA电流平均流过R1、R2，每个电阻流过8mA的电流，所以交流耦合时的共模电压为：Vc = Vcc – 8mA*50Ω = Vcc -0.4V；

（2）当有差模电压输入时（同直流耦合一样）：T1、T2只会导通一个（以T1导通为例），16mA电流由R1、R3一起提供，每个电阻提供8mA电流，因此单端摆幅为：Vswing = 8mA * 50Ω = 0.4V；

（3）如上可知共模电压为：Vcc-0.4V，而差模电压为：0.4V，所以CML单端输出信号为以Vcc-0.4V为中心，摆幅为0.4V的信号，即单端信号摆幅为：(Vcc-0.2)~(Vcc-0.6V)，其输出波形如下右图所示。

——在这种情况下差分输出信号摆幅同样是800mV：差分电压分别为-400mV和+400mV，摆幅为它们之和。

2，CML电平分析和匹配

上一节我们已经从理论层面了解了CML电平的理想电压值，如下图所示为Maxim MAX3831器件的CML电平规格；除了有对单端、差分信号的具体定义之外，还有对阻抗进行了定义（精度15%），CML逻辑电路无需外部提供电路阻抗匹配（只需直连或AC耦合直连），这是因为CML输入端内部电路已经做了终端并联匹配：单端输入50Ω上拉至Vcc；那么我们就知道差分信号线之间的阻抗为100Ω。所以在传输线设计时需保证：单端50Ω，差分100Ω的传输线阻抗设计（松耦合差分线）。

——终端并联匹配是否必须要接至GND？单端50Ω时差分就必然是100Ω么（单端阻抗与差分阻抗是否有关系）？或则说什么情况下单端50Ω，差分会小于100Ω？关于这些问题，忘记的胖友们请继续复习《从电感、电容到理想传输线》和《特殊的串扰-差分信号》相关章节，相信能给你个满意的答案。

由于CML电平没有任何标准，从而出现了很多供应商自行制定的规范，因此胖友们在使用CML电平时一定要仔细查阅芯片手册（后续在《硬件开发流程基础：详细设计》相关专题中会介绍，如何保证单板上各器件之间的电平匹配）。

说到这里，突然想起一个事情来：我最早接触高速串行链路时会将SerDes和CML/LVPECL/LVDS逻辑电平的概念搞混掉。我们在使用串行链路时，经常会用SerDes指代高速串行链路，但SerDes却并非是逻辑电平的概念，比逻辑电平（纯物理接口）的层次更高一些，因为它包含了物理层的部分协议。举个栗子：你可以说这条SerDes链路是基于CML逻辑电平的。

4，CML电平特点

CML电路输出晶体管工作在放大区域（同ECL一样），所以CML信号比采用饱和状态操作的CMOS、LVDS信号拥有更快的开关速度；
CML输出电路中的恒流源具有较小的开关噪声，信号的上升时间和下降时间小，因此CML理论极限速度可达10Gbit/s以上；如下图所示为：LVPECL、LVDS和CML三种逻辑电路功耗及速度比较示意图；