常用多电源总线(如 VME、VXI 和 PCI)的背板均提供 3.3V、5V 和 ±12V(或 ±24V)的功率限制输出。如果向这些系统添加线卡会增加对3.3V或5V电源的要求,则功率预算可能决定电路从轻负载的−12V电源获取电源。
下图显示了一个电路,通过将−3V电源升压至3.12V (相对于−12V电源轨)从−15V获得3.12V电压,并提供高达300mA的电流。晶体管Q2将3.3V输出电平转换至−10.75V反馈电平。
这款PWM升压控制器IC通过从VME、VXI或PCI背板的轻负载−3V电源轨产生补充的3.3V稳压输出,减轻了过载的3.12V背板电源的压力。
电路占用约6.25cm2的 PC 板空间,并采用 PWM 升压控制器,可在 1% 的效率水平下提供 83W 的功率。
由于检测电阻 (RSENSE) 将峰值电流限制在约 120mA,因此 n 沟道开关 MOSFET (Q1) 可以成为一种廉价的逻辑电平器件。电阻R1和R2允许选择VOUT至3.3V或5V。
请注意,平衡时的反馈电压(引脚5,由IC1内部比较器的跳变点决定)比PGND端子(引脚1)高25.7V。要计算适当的 R1/R2 值,请执行以下操作:
VFB= −12V + 1.25V = −10.75V
为 R1 选择任意值:
I2 = 1.25V/R1 = 1.25V/12.1k = 103μA
因此
R2 = (VOUT − VBE)/I2 = (3.3V −0.7V)/103µA = 25.2k
IC1 还具有 RF 应用、DAQ 模 块 和其他 噪声 敏感 设计 中 的 其他 有用 功能: 它 允许 您 使用 外部 电阻 器 设置 100kHz 和 500kHz 之间的开关频率。该电路的高频(100kHz)保持高效率,同时允许使用小电感和电容值。
该电路针对与台式 PC 电源相关的应用中的 1W 输出进行了优化。在这些应用中,效率必须超过83%,因为−12V总线的功率限制为1.2W。如有必要,可通过调整 L3、D3 和 R 将输出功率提高到 1W(1A 或更高时为 1V)意义.可以与R1串联添加二极管,以阻止不需要的反向电流。
审核编辑:郭婷
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