磁敏电阻的特性、主要参数及工作原理

磁敏电阻是什么

磁敏电阻是一种对磁敏感且有磁阻效应的电阻元件。磁场中物 质电阻变化的现象称为磁阻效应。磁阻通常由对磁敏感的半导体材料的半导体材料制成。半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应，也称为磁阻效应。当添加磁场的方向或强度发生变化时，磁敏电阻的电阻值会发生相应的变化。通过这种变化，磁场的相对位移可以准确测试。举例来说，当长方形半导体InSb片沿长度方向有电流通过时，如果在与电流片垂直的宽度方向上施 加磁场，电阻率就会增加。

磁敏电阻的特性

1是磁阻效应原理；

2磁检测具有较高的灵敏度；

3输出信号幅值较大；

4.抗电磁干扰能力强；

5是分辨力高。

感应电阻的主要参数

1）磁阻比：指在特定的磁感应强度下，磁感应电阻的电阻值与零磁感应强度下的电阻值之比。

2）磁阻系数：指在特定的磁感应强度下，磁敏电阻的电阻值与其标称电阻值之比。

3）磁阻敏感性：指在一定的磁感应强度下，磁感应电阻的电阻值随磁感应强度的相对变化率而变化。

磁敏电阻的工作原理

磁敏材料可以通过磁阻效应将磁信号转化为电信号。磁阻效应包括两种现象：材料的电阻率随磁场而变化，元件的电阻值随磁场而变化。前一种效应叫做磁阻效应或物理磁阻效应，后一种叫做几何磁阻效应。

磁性电阻材料主要是电子迁移率高的半导体材料，以及铁镍钴合金。常见的半导体有InSb（或InSb-NiSb共晶材料）、砷化铟（InAs）和砷化镓（GaAs），通常为N型。高纯度InSb和InAs的电子转移率分别为5.6~6.5m/（V·s）和2.0~2.5m/（V·s）。InSb禁止带宽小，受温度影响大。GaAs禁止带宽大，电子转移率也相当大0.8m/（V·s），温度影响小，灵敏度也高。 镍钴合金和镍铁合金具有电阻温度系数小、性能稳定、灵敏度高、方向性强的特点，可用于磁阻检测。

磁敏电阻、无触点电位器、模拟操作器、 磁传感器等。由半导体材料制成。用于测量、计算机、无线电和自动控制。半导体InSb-NiSb磁敏电阻用于磁场、电流、位移和功率测量以及模拟操作器。其电阻值为10ω~1kω，相对灵 敏度为6~18（B=1T），温度系数为-2.9%~0.09%（1/℃）（B=1T），极限工作频率为1~10兆赫。当测量小于0.01T的弱磁场时，必须附加到偏置磁场。

测量磁场方向、磁带位置、测速或速度的测量与控制、非接触开关等。电阻值为1，10，250kΩ，相对灵敏度超过2%（3&TImes；10T下），温度系数为3000±500&TImes；10（1/℃），感应磁场为3&TImes；10T以上，工作温度为-55~150℃。当检测磁场反转或可逆磁场以下的磁信号时，还应采用偏置磁场。