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LEAD-TECK领泰超高性价比LT领泰双P电源MOS LT4953SQ参数介绍

KOYUELEC光与电子 来源:KOYUELEC光与电子 作者:KOYUELEC光与电子 2023-06-25 17:41 次阅读

LEAD-TECK领泰超高性价比LT领泰双P电源MOS LT4953SQ参数介绍由技术选型代理商KOYUELEC光与电子,82542001为ODM/ODM提供技术选型方案应用支持。

超高性价比领泰双P电源MOS,LT4953SQ,-30V/5.1A/37mΩ,另还有13mΩ/18mΩ/27mΩ,PIN替换AP4953/TS4953/AO4805
Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
参数:
VDS = -30V,
I D = -5.1A
RDS(ON) @VGS= -10V, TYP 37mΩ
RDS(ON) @VGS= -4.5V, TYP 54mΩ
应用:
负载开关
PWM应用

poYBAGPcclqAKLxUAAJuqhUFFqI150.png

poYBAGPccnuARR-yAAJBmE8ZVyw286.png

poYBAGPccpWAXrk3AAU-f-5U7Ro895.png

A: RθJA的值是用安装在2盎司的1/2的FR-4板上的设备来测量的。铜,在一个静止的空气环境中与TA=25°C。任何给定应用程序中的值都取决于用户的特定电路板设计。
B: 重复额定值,脉冲宽度受接结温度的限制。
C: 电流额定值是基于t≤10s连接到环境热阻额定值。
D: 脉冲测试:脉冲宽≤300μs,占空比≤2%。

审核编辑黄宇

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