5月9日,三星Foundry在以色列举行的半导体展览chipex2023上公布了对3nm gaa mbcfet技术的最新开发和sram设计的影响。
三星解释说,mbcfet提供了比finfet更好的设计灵活性:在传统的finfet结构中,无法调整包裹栅极的别针高度。由于mbcfet将鳍横向堆积,因此可以调整纳米板的高度,并且可以选择比finfet更多的声道宽度。
mbcfet的这些功能提高了sram单元设计的灵活性,提供了pmos和nmos之间的最佳平衡。
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