0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

非易失性待机/接通开关

星星科技指导员 来源:ADI 作者:ADI 2023-06-26 10:54 次阅读

该电路使用电子编程电压基准(DS4305)作为单位非易失性存储单元,可记住待机/ON开关的状态,该开关在没有操作员在场的情况下改变状态。

以下待机/ON开关适用于应用(例如工业和电信),在这些应用中,在没有操作员在场时发生电源故障后,电路必须以某种方式“记住”其状态(待机或ON)。基于电池(或超级电容器)和触发器的替代方法不太可靠,因为如果漏电流耗尽电池,其状态可能会丢失。另一种选择涉及使用微控制器和EEPROM,但这需要软件和启动时间的规定。此外,用于此应用的独立EEPROM具有尴尬的接口

其思路(图1)是使用电子可编程基准电压源(IC4、DS4305)作为单位非易失性存储单元。为了记住待机/ON开关的状态,该电路对输出电压进行高电平或低电平编程,并可对其进行至少50,000次重新编程。

wKgaomSZAAeAZSqyAABrynPew64788.png

图1.如果电源故障且没有操作员在场,则此电路会记住其状态(待机或打开)。

IC1 (MAX6766)为低压差(LDO线性稳压器,具有RESET输出,宽输入电压范围可扩展至72V。μP监控器(IC2,MAX6468)对控制按钮(待机/开启按钮)进行去抖动,并通过增加脉冲之间的暂停长度来支持IC4的编程。IC4输出驱动具有施密特触发器输入(IC5)的逆变器,该逆变器反过来驱动晶体管Q2的栅极以控制主电源。

触发器IC3有助于通过每次按下控制按钮来改变待机/开启状态。在IC4编程周期结束时,由于来自逆变器的反馈,IC3的CLK输入处的低至高边沿将触发器设置为相反的状态。此操作也会在上电时由IC2 RESET触发,以确保开关已准备好更改状态。晶体管Q1B和IC1的RESET输出通过在启动和电源故障条件下阻止IC4的ADJ输入来防止错误状态的编程。

IC2的上电(或关断)RESET脉冲对IC4的ADJ输入的影响也必须被阻断;因此,IC1的复位超时(由电容C2设置)比IC2的复位超时长。IC2(2.9V)的电压阈值也低于IC1(4.6V)。IC5的最差情况“低”输入门限(1.32V)保证了首次上电时的待机位置,因为IC4的出厂预设输出仅为1.2V。

审核编辑:郭婷

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 微控制器
    +关注

    关注

    48

    文章

    6906

    浏览量

    148818
  • 电容器
    +关注

    关注

    63

    文章

    5923

    浏览量

    97581
  • 触发器
    +关注

    关注

    14

    文章

    1919

    浏览量

    60709
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    真正FPGA的优势

    并非所有或闪存 FPGA 器件都是一样的。本文探讨了真正的
    的头像 发表于 11-14 15:34 1450次阅读
    真正<b class='flag-5'>非</b><b class='flag-5'>易</b><b class='flag-5'>失</b><b class='flag-5'>性</b>FPGA的优势

    CypressSRAM技术

    SRAM(nv SRAM)结合了赛普拉斯行业领先的SRAM技术和一流的SONOS
    发表于 04-08 14:58

    MRAM的基础知识汇总

    MRAM是一种的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。
    发表于 12-10 07:20

    MRAM基础知识汇总

    MRAM是一种的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。
    发表于 12-16 07:21

    0.13μmFRAM产品的性能

    0.13μmFRAM产品的增强的耐久性能
    发表于 02-04 07:15

    内存有写入限制吗?

    我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量,所以,我需要做一个每秒累加的方法。问题:内存有写入限制,所以我需要使用
    发表于 05-30 08:48

    SRAM DS1747

      DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽
    发表于 09-28 08:58 1148次阅读
    <b class='flag-5'>非</b><b class='flag-5'>易</b><b class='flag-5'>失</b><b class='flag-5'>性</b>SRAM DS1747

    DS1647为512k x 8静态RAM

      DS1647为512k x 8静态RAM,包括一个完备的实时时钟,两者均以字节宽度格式访问。
    发表于 10-22 08:52 1296次阅读
    DS1647为512k x 8<b class='flag-5'>非</b><b class='flag-5'>易</b><b class='flag-5'>失</b><b class='flag-5'>性</b>静态RAM

    采用55纳米内存的Qorivva MCU

      这款新Qorivva微控制器(MCU)系列基于Power Architecture ·技术,采用独特的55纳米(nm)内存(NVM)构建而成,旨在
    发表于 11-11 18:05 988次阅读

    半导体存储器的相变机制

    半导体存储器的相变机制
    发表于 01-19 21:22 14次下载

    一文知道新兴存储(NVM)市场及技术趋势

    大型厂商的产品导入、存储级内存(SCM)的新兴应用以及五大逻辑代工厂的涉足将推动存储市场的增长。 新兴
    的头像 发表于 07-04 11:55 6873次阅读
    一文知道新兴<b class='flag-5'>非</b><b class='flag-5'>易</b><b class='flag-5'>失</b><b class='flag-5'>性</b>存储(NVM)市场及技术趋势

    NVSRAM存储器的详细讲解

    电子发烧友网站提供《NVSRAM存储器的详细讲解.pdf》资料免费下载
    发表于 11-25 11:12 26次下载

    ADM1166:带余量控制和故障记录的超级序列器

    ADM1166:带余量控制和故障记录的超级序列器
    发表于 04-24 12:29 2次下载
    ADM1166:带余量控制和<b class='flag-5'>非</b><b class='flag-5'>易</b><b class='flag-5'>失</b><b class='flag-5'>性</b>故障记录的超级序列器

    简单的门控

    作为使用PAL、GAL或CPLD器件实现门控功能的替代方案,这些电路使用串行接口控制的数字电位器(MAX5427或MAX5527)存储门控信号(模块或发送)。
    的头像 发表于 01-12 11:30 762次阅读
    简单的<b class='flag-5'>非</b><b class='flag-5'>易</b><b class='flag-5'>失</b><b class='flag-5'>性</b>门控

    使用XOD访问ESP32存储

    电子发烧友网站提供《使用XOD访问ESP32存储.zip》资料免费下载
    发表于 06-15 14:35 0次下载
    使用XOD访问ESP32<b class='flag-5'>非</b><b class='flag-5'>易</b><b class='flag-5'>失</b><b class='flag-5'>性</b>存储