数明半导体高压、高速MOSFET/IGBT 驱动器通过AEC-Q100认证
为满足汽车市场对产品可靠性和安全性的需求，数明半导体近期推出车规级高压、高速MOSFET/IGBT驱动芯片SiLM21814-AQ，该产品通过AEC-Q100认证。600V,2.5A/3.5A的高低边门极驱动SiLM21814-AQ具有驱动电流大、耐压高、抗负压能力强的优势，可广泛应用于AC/DC、DC/DC电源、逆变器、变频压缩机等众多领域。
SiLM21814-AQ提供独立的高边、低边输出驱动信号。采用专有的高压集成电路和锁存免疫CMOS技术，提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL兼容，最低支持3.3V逻辑输入。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通。精确的匹配延迟适合高频应用。浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达600V。
产品特性
Key Features
支持600V高压应用
典型驱动电流：2.5A/3.5A
宽VCC工作范围：10V~20V
为自举供电设计的浮动通道
支持高低边欠压闭锁功能
输入信号兼容3.3V/5V
抗瞬态负压能力：-40V/600ns
典型开通/关断延迟：180ns/200ns
最大通道匹配延迟：35ns
符合车规 AEC-Q100
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原文标题：新品发布 丨 数明半导体推出车规级高压、高速MOSFET/IGBT 驱动器 SiLM21814-AQ
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