SD/TF卡是一种基于半导体快闪记忆器的新一代记忆设备,具有体积小、数据传输速度快、可热插拔等特性,广泛应用于便携式装置中,如数码相机、手机、平板电脑、多媒体播放器、汽车电子、无人机等产品中。然而,由于SD/TF卡需要经常性热插拔、集成度非常高,比较脆弱,很容易受到ESD静电放电的威胁和破坏导致数据缺失。
为此,为了实现SD/TF卡数据高传输率并避免数据缺失的现象,SD/TF卡静电浪涌保护不容忽视。那么,关键问题了,如何设计SD/TF卡静电浪涌保护方案呢?如何选用TVS/ESD二极管为SD/TF卡静电保护护航呢?接下来,东沃电子技术针对SD/TF卡静电浪涌问题提出了解决方案。
东沃SD/TF卡静电浪涌保护方案图
东沃SD/TF卡静电浪涌保护方案说明
从方案图中可知,SD/TF卡静电浪涌保护选用集成多路并组合两个单路ESD静电二极管,具有导通电压精度高、响应速度快、寄生电容值低、钳位电压低等特点。在SD/TF卡时钟信号线上,东沃电子技术推荐选用两颗ESD二极管DW05DTF-BL-S,工作电压5V、峰值脉冲电流4A、钳位电压低至5V、结电容低至0.9pF。SD/TF卡高速数据传输接口选用ESD二极管DW05-4R-S,工作电压5V、峰值脉冲电流15A、钳位电压20V、结电容低至0.75pF,保证数据传输的可靠性和稳定性。在不影响数据传输的前提下,方案满足IEC 61000-4-2 Level 4静电放电防护需求,让后端的电路能够得到全面有效的防护,且做到低成本。
东沃SD/TF卡静电浪涌保护专用TVS/ESD二极管参数
1)TVS/ESD二极管DW05DTF-BL-S参数
查阅东沃电子“ESD-DW05DTF-BL-S Datasheet”产品规格书可知:
2)TVS/ESD二极管DW05-4R-S参数
查阅东沃电子“ESD-DW05-4R-S Datasheet”产品规格书可知:
审核编辑:刘清
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原文标题:东沃SD/TF卡静电浪涌保护方案图
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