铁电存储器(FRAM)具有非易失性,读写速度快,没有写等待时间等优势,能够像RAM一样操作,低功耗,擦写使用寿命长,芯片的擦写次数为100万次,比一般的E2PROM存储器高10倍。特别适合在为工业记录仪器、数据采集、可移动数据存储器等方面的应用。本文主要介绍铁电存储器PB85RS2MC在智能配电箱中的应用。
电能记忆原理:电表作为一个计量用电量的仪器,电表的精度不但与检测芯片的精度有关,而且与其存储方式有关,如果检测到的电量数据不能随机写入存储器或写入存储器过程出错,电表的精度就会大大降低。
基于FRAM PB85RS2MC存储器的特点,本文将对传统电表的电量存储方案设计进行改革,由于PB85RS2MC的读写次数为100万次,微处理器(MCU)检测到一个脉冲就可以写入FRAM内,由于电量数据是实时写入FRAM,所以,掉电后数据也不会丢失。由于FRAM不会像普通存储器那样有10ms的写周期,不用担心电容的容量变小后会对FRAM存储数据有影响,因为铁电存储器内没有缓冲区,数据是直接写入FRAM对应的地址中,所以写入的数据也不会出错。
国产FRAM PB85RS2MC应用特点:
1、PB85RS2MC通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元,该芯片不需要电池就可以保持数据。
2、PB85RS2MC容量2M bit,提供SPI接口,工作频率25兆赫兹,并支持40MHz高速读命令。
3、PB85RS2MC工作环境温度范围-40℃至85℃,封装为8引脚SOP封装,符合RoHS;性能兼容MB85RS2MT(富士通)和FM25V20A(赛普拉斯)。
4、PB85RS2MC最低功耗9微安(待机),工作电压2.7伏至3.6伏,可以在-40℃-85℃的温度范围内工作。
综上,通过采用PB85RS2MC存储器的电能数据存储系统,可以使电能计量系统十分准确,降低了功耗,而且具有结构紧凑,接口线少,控制方式简单,抗干扰能力强,通信速率较高,扩展灵活等许多优点。随着FRAM技术的不断发展,其应用范围会更加广泛,并且国芯思辰可提供专业的技术指导 。
审核编辑:汤梓红
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原文标题:国产FRAM PB85RS2MC在智能配电箱中的应用,兼容MB85RS2MT
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